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公开(公告)号：CN110165393A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910088807.8
申请日：2019-01-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 天线装置包括：设置在基板上的第1子阵列天线，具有第1天线元件组、1个以上的第3天线元件、以及对第1天线元件组及1个以上的第3天线元件供给电力的第1馈电线；和设置在基板上的第2子阵列天线，具有第2天线元件组、1个以上的第3天线元件、以及对第2天线元件组及1个以上的第3天线元件供给电力的第2馈电线，1个以上的第3天线元件与第1馈电线和第2馈电线间隔开。
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公开(公告)号：CN100563032C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200410103700.X
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/41 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/66871 , H01L21/28 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/8128
Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。
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公开(公告)号：CN1638149A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103700.X
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/41 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/66871 , H01L21/28 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/8128
Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1551373A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044704.5
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41766
Abstract: 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。
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公开(公告)号：CN108631060A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810239056.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01Q1/52 , H01Q1/48 , H01Q19/185 , H01Q21/00
CPC classification number: H01Q1/521 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q9/0407 , H01Q15/008 , H01Q19/185 , H01Q21/00
Abstract: 一种天线装置，具备：电介质基板；配置在电介质基板所包含的第一配线层中的至少第一辐射器和第二辐射器；配置在电介质基板所包含的第二配线层的、包含在电介质基板的层厚度方向上投影了第一辐射器的范围的范围内的第一反射器；配置在第二配线层的、包含在层厚度方向上投影了第二辐射器的范围的范围内第二反射器；以及配置在第一辐射器和第二辐射器之间的第一电磁带隙，第一电磁带隙具备：配置第一配线层的第一补片；配置在电介质基板的层厚度方向上与第二配线层不同位置的第三配线层的第一接地电极；以及连接第一补片和第一接地电极，并在层厚度方向上延伸的第一通孔。
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公开(公告)号：CN108539399A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810116069.9
申请日：2018-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种天线装置，包括：具有第一面及第二面的电介质基板；配置在电介质基板的第一面上、具有第三面及与电介质基板相对的第四面的半导体基板；配置在半导体基板的第四面上的集成电路；配置在半导体基板的第四面上的辐射器；配置在将辐射器沿从辐射器辐射的电磁波的辐射方向投影到半导体基板的第三面上的位置的反射器；以及配置在将辐射器沿辐射方向投影到电介质基板上的位置的波导器。
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公开(公告)号：CN107134632A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610952447.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 天线基板(10)具有：基板(11)，其安装具有端子部的半导体芯片(12)；多个天线元件，其配置在基板上，至少包含第一受信天线元件(14－4)及第二受信天线元件(14－1)；第一传送线路(16－4)，其将端子部和第一受信天线元件连接；第二传送线路(16－1)，其将端子部和第二受信天线元件连接；接地电极(17)，其形成在基板上，具有包围第一受信天线元件的开口部(18－8)和包围第二受信天线元件的开口部(18－7)，在沿着从第一受信天线元件辐射的电磁波的E面的方向上所处的第一元件端与接地电极的距离、和在沿着从第二受信天线元件辐射的电磁波的E面的方向上所处的第三元件端与接地电极的距离不同。
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公开(公告)号：CN100440542C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410044704.5
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41766
Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。
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