公开(公告)号：CN1108768A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94113231.5

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  铃木正树

IPC: G03G15/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559

Abstract: 本发明提供的半导体器件制造装置由静电吸附对半导体片进行温度控制，同时又无充电造成的损坏和刻蚀结束后残留静电吸附造成的半导体片传送故障。该装置的下部电极15在其表面被覆体积电阻系数为1×108～109Ωcm的陶瓷，因而可达到上述目的。

公开(公告)号：CN1139975C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99103973.4

申请日：1999-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  原口秀夫 ,  山本重之

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明在将基板(2)保持在基板保持架(3)上供各种处理后，当将下一处理备用的基板(2)上推、脱离基板保持架(3)时，对有关基板(2)与基板保持架(3)之间的吸附力的信息进行检测，吸附力超过规定值时由控制装置(18)来限制上推动作。本发明可适当地无强制性地将基板上推，基板不会产生破损，可提高生产率。

公开(公告)号：CN1074583C

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN94113231.5

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  铃木正树

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559

Abstract: 本发明提供的半导体器件制造装置由静电吸附对半导体片进行温度控制，同时又无充电造成的损坏和刻蚀结束后残留静电吸附造成的半导体片传送故障。该装置的下部电极15在其表面被覆体积电阻系数为1×108～109Ωcm的陶瓷，因而可达到上述目的。

公开(公告)号：CN1229269A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN99103973.4

申请日：1999-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  原口秀夫 ,  山本重之

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明在将基板2保持在基板保持架3上供各种处理后,当将下一处理备用的基板2上推、脱离基板保持架3时,对有关基板2与基板保持架3之间的吸附力的信息进行检测,吸附力超过规定值时由控制装置18来限制上推动作。本发明可适当地无强制性地将基板上推,基板不会产生破损,可提高生产率。