公开(公告)号：CN1090816C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN96106155.3

申请日：1996-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木正树 ,  福井祥二 ,  筒井裕二 ,  山本重之 ,  田中靖夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明涉及的气体传热等离子体装置，具备真空容器、真空泵、反应气体供给口、上部电极和下部电极、将被处理基片压在下部电极上的压紧圈、向下部电极供电的高频电源和向被处理基片背面与下部电极之间填充传热气体的传热气体供给装置。下部电极的基片承载面做成承受规定均匀压力的基片的挠曲面形状、气体压力选为约等于或小于该规定压力。该装置可使等离子体处理均匀、稳定，使用的冷却气体量少，易控制，且电极制作容易。

公开(公告)号：CN1110832A

公开(公告)日：1995-10-25

申请号：CN95100622.3

申请日：1995-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡边彰三 ,  铃木正树 ,  中山一郎 ,  奥村智洋

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种真空等离子处理装置。该装置在与基座13相对的真空处理容器11的绝缘体壁面上按栅格状排列凸球形的分电极15a、15b、15c，且分电极15a、15b、15c接有产生等离子区用的高频电源16a、16b、16c，施加分别相差120°相位的高频电压，从而可在被处理基板的上方产生均匀的高密度等离子区。

公开(公告)号：CN1108768A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94113231.5

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  铃木正树

IPC: G03G15/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559

Abstract: 本发明提供的半导体器件制造装置由静电吸附对半导体片进行温度控制，同时又无充电造成的损坏和刻蚀结束后残留静电吸附造成的半导体片传送故障。该装置的下部电极15在其表面被覆体积电阻系数为1×108～109Ωcm的陶瓷，因而可达到上述目的。

公开(公告)号：CN1138746A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN96106155.3

申请日：1996-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木正树 ,  福井祥二 ,  筒井裕二 ,  山本重之 ,  田中靖夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明涉及的气体传热等离子体装置，具备真空容器、真空泵、反应气体供给口、上部电极和下部电极、将被处理基片压在下部电极上的压紧圈、向下部电极供电的高频电源和向被处理基片背面与下部电极之间填充传热气体的传热气体供给装置。下部电极的基片承载面做成承受规定均匀压力的基片的挠曲面形状、气体压力选为约等于或小于该规定压力。该装置可使等离子体处理均匀、稳定，使用的冷却气体量少，易控制，且电极制作容易。

公开(公告)号：CN1114226C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN95100341.0

申请日：1995-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原口秀夫 ,  铃木正树 ,  石田敏道

IPC: H01L21/302 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/141

Abstract: 本发明是一种真空处理装置，该装置提供了一种用一个驱动源驱动的双层臂以及晶片升降驱动装置，即，通过将上层臂及下层臂的上层臂驱动圆弧齿轮及下层臂驱动圆弧齿轮与晶片升降驱动装置用同一轴的臂驱动用槽凸轮板和晶片顶出用槽凸轮板驱动，可以缩短处理时间，提高动作可靠性。

公开(公告)号：CN1074583C

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN94113231.5

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  铃木正树

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559

Abstract: 本发明提供的半导体器件制造装置由静电吸附对半导体片进行温度控制，同时又无充电造成的损坏和刻蚀结束后残留静电吸附造成的半导体片传送故障。该装置的下部电极15在其表面被覆体积电阻系数为1×108～109Ωcm的陶瓷，因而可达到上述目的。

公开(公告)号：CN1111033A

公开(公告)日：1995-11-01

申请号：CN95100341.0

申请日：1995-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原口秀夫 ,  铃木正树 ,  石田敏道

IPC: H01L21/302 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/141

Abstract: 本发明是一种真空处理装置，该装置提供了一种用一个驱动源驱动的双层臂以及晶片升降驱动装置，即，通过将上层臂及下层臂的上层臂驱动圆弧齿轮及下层臂驱动圆弧齿轮与晶片升降驱动装置用同一轴的臂驱动用槽凸轮板和晶片顶出用槽凸轮板驱动，可以缩短处理时间，提高动作可靠性。