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公开(公告)号：CN1114226C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN95100341.0
申请日：1995-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , C23C14/00
CPC classification number: H01L21/67742 , Y10S414/135 , Y10S414/137 , Y10S414/139 , Y10S414/141
Abstract: 本发明是一种真空处理装置，该装置提供了一种用一个驱动源驱动的双层臂以及晶片升降驱动装置，即，通过将上层臂及下层臂的上层臂驱动圆弧齿轮及下层臂驱动圆弧齿轮与晶片升降驱动装置用同一轴的臂驱动用槽凸轮板和晶片顶出用槽凸轮板驱动，可以缩短处理时间，提高动作可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229269A
公开(公告)日：1999-09-22
申请号：CN99103973.4
申请日：1999-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/6833 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明在将基板2保持在基板保持架3上供各种处理后,当将下一处理备用的基板2上推、脱离基板保持架3时,对有关基板2与基板保持架3之间的吸附力的信息进行检测,吸附力超过规定值时由控制装置18来限制上推动作。本发明可适当地无强制性地将基板上推,基板不会产生破损,可提高生产率。
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公开(公告)号：CN1220772A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括,边导入规定的气体边排气,在保持真空室(1)内规定的压力的同时,在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5),通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力,使真空室(1)内产生等离子体,在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时,通过外皮,由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12),在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间,设置隔热材料(13),通过带有区域层加热器(22)的内室(16),将真空室内加热到80℃以上。
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公开(公告)号：CN1111033A
公开(公告)日：1995-11-01
申请号：CN95100341.0
申请日：1995-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , C23C14/00
CPC classification number: H01L21/67742 , Y10S414/135 , Y10S414/137 , Y10S414/139 , Y10S414/141
Abstract: 本发明是一种真空处理装置，该装置提供了一种用一个驱动源驱动的双层臂以及晶片升降驱动装置，即，通过将上层臂及下层臂的上层臂驱动圆弧齿轮及下层臂驱动圆弧齿轮与晶片升降驱动装置用同一轴的臂驱动用槽凸轮板和晶片顶出用槽凸轮板驱动，可以缩短处理时间，提高动作可靠性。
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公开(公告)号：CN1139975C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN99103973.4
申请日：1999-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/6833 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明在将基板(2)保持在基板保持架(3)上供各种处理后，当将下一处理备用的基板(2)上推、脱离基板保持架(3)时，对有关基板(2)与基板保持架(3)之间的吸附力的信息进行检测，吸附力超过规定值时由控制装置(18)来限制上推动作。本发明可适当地无强制性地将基板上推，基板不会产生破损，可提高生产率。
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公开(公告)号：CN1118090C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括，边导入规定的气体边排气，在保持真空室(1)内规定的压力的同时，在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5)，通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力，使真空室(1)内产生等离子体，在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时，通过外皮，由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12)，在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间，设置隔热材料(13)，通过带有区域层加热器(22)的内室(16)，将真空室内加热到80℃以上。
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