公开(公告)号：CN1229269A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN99103973.4

申请日：1999-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  原口秀夫 ,  山本重之

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明在将基板2保持在基板保持架3上供各种处理后,当将下一处理备用的基板2上推、脱离基板保持架3时,对有关基板2与基板保持架3之间的吸附力的信息进行检测,吸附力超过规定值时由控制装置18来限制上推动作。本发明可适当地无强制性地将基板上推,基板不会产生破损,可提高生产率。

公开(公告)号：CN1090816C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN96106155.3

申请日：1996-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木正树 ,  福井祥二 ,  筒井裕二 ,  山本重之 ,  田中靖夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明涉及的气体传热等离子体装置，具备真空容器、真空泵、反应气体供给口、上部电极和下部电极、将被处理基片压在下部电极上的压紧圈、向下部电极供电的高频电源和向被处理基片背面与下部电极之间填充传热气体的传热气体供给装置。下部电极的基片承载面做成承受规定均匀压力的基片的挠曲面形状、气体压力选为约等于或小于该规定压力。该装置可使等离子体处理均匀、稳定，使用的冷却气体量少，易控制，且电极制作容易。

公开(公告)号：CN1139975C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN99103973.4

申请日：1999-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松田出 ,  原口秀夫 ,  山本重之

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明在将基板(2)保持在基板保持架(3)上供各种处理后，当将下一处理备用的基板(2)上推、脱离基板保持架(3)时，对有关基板(2)与基板保持架(3)之间的吸附力的信息进行检测，吸附力超过规定值时由控制装置(18)来限制上推动作。本发明可适当地无强制性地将基板上推，基板不会产生破损，可提高生产率。

公开(公告)号：CN1138746A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN96106155.3

申请日：1996-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木正树 ,  福井祥二 ,  筒井裕二 ,  山本重之 ,  田中靖夫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明涉及的气体传热等离子体装置，具备真空容器、真空泵、反应气体供给口、上部电极和下部电极、将被处理基片压在下部电极上的压紧圈、向下部电极供电的高频电源和向被处理基片背面与下部电极之间填充传热气体的传热气体供给装置。下部电极的基片承载面做成承受规定均匀压力的基片的挠曲面形状、气体压力选为约等于或小于该规定压力。该装置可使等离子体处理均匀、稳定，使用的冷却气体量少，易控制，且电极制作容易。