公开(公告)号：CN103797593A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280044828.6

申请日：2012-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉浦健二 ,  小泷刚克 ,  植田贤治 ,  和田恭典

IPC: H01L33/48 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 发光装置（1）具备：基板（110）；多个LED（120），以列状配设在基板（110）上；一对电极焊垫（141a、142a），形成在基板（110）上，按照每个LED（120），设在其列方向上的LED（120）的前后两侧；齐纳二极管（保护元件）（160），按照由在列方向上连续的9个LED（120）及与该9个LED（120）分别对应的各一对电极焊垫（141a、142a）构成的每个电路（组）（U1、U2、…、U8），在电路（U1、U2、…、U8）内的位于某两个相邻的LED（120）之间的两个电极焊垫（141a、142a）之间，配置有各1个；封固部件（130），以将LED（120）、电极焊垫（141a、142a）及齐纳二极管（160）封固的形式设在基板（110）上。并且，在各电路（U1、U2、…、U8）中，一对电极焊垫（141a、142a）彼此的间隔中，设在距齐纳二极管（160）最近的位置的一对电极焊垫（141a、142a）彼此的间隔最短，并且设在距齐纳二极管（160）最近的位置以外的两个部位的一对电极焊垫（141a、142a）彼此的间隔相互不同。

公开(公告)号：CN101523625B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780038002.8

申请日：2007-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉浦健二 ,  永井秀男 ,  田村哲志 ,  植田贤治 ,  冈野和之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发光装置(1)包含：基台(10)、配置在基台(10)上的发光元件(11)、和覆盖发光元件(11)的波长转换层(12)；波长转换层(12)包含对来自发光元件(11)的光的波长进行转换的波长转换部(13)、和由透光性材料构成的导光部(14)；导光部(14)从波长转换层(12)的发光元件(11)侧朝向光取出侧延伸。由此，本发明能提供容易小型化、薄型化，并且能防止光取出效率的降低的发光装置。

公开(公告)号：CN101523625A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038002.8

申请日：2007-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉浦健二 ,  永井秀男 ,  田村哲志 ,  植田贤治 ,  冈野和之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发光装置(1)包含：基台(10)、配置在基台(10)上的发光元件(11)、和覆盖发光元件(11)的波长转换层(12)；波长转换层(12)包含对来自发光元件(11)的光的波长进行转换的波长转换部(13)、和由透光性材料构成的导光部(14)；导光部(14)从波长转换层(12)的发光元件(11)侧朝向光取出侧延伸。由此，本发明能提供容易小型化、薄型化，并且能防止光取出效率的降低的发光装置。

公开(公告)号：CN100365809C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200510009184.9

申请日：2005-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三村忠昭 ,  滨谷毅 ,  水谷笃人 ,  植田贤治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。

公开(公告)号：CN101578479A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880002059.7

申请日：2008-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金山喜彦 ,  田村哲志 ,  植田贤治

IPC: F21S8/10 ,  F21Y101/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: F21V7/0025 ,  F21K9/68 ,  F21S8/02 ,  F21S41/141 ,  F21S41/147 ,  F21S41/24 ,  F21S41/323 ,  F21S41/43 ,  F21V7/06 ,  F21Y2115/10 ,  H01L24/17 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种发光装置(1)包括：基底(11)；设置于基底(11)的一个主表面(11a)上的发光元件(12)；以及设置成围绕发光元件(12)的光分布控制反射器(14)。光分布控制反射器(14)是大致回转抛物面的至少一部分，并且构成光分布控制反射器(14)内表面的大致回转抛物面表面(14a)是用于采集从发光元件(12)发射的光的光反射表面。发光元件(12)设置于大致回转抛物面表面(14a)的基本焦点位置，且所述基底(11)的所述一个主表面(11a)的法线(N)相对于与所述大致回转抛物面的轴(X)正交的方向，朝着所述大致回转抛物面的顶点(P)倾斜。于是，可以提供有助于光分布的控制的发光装置(1)。

公开(公告)号：CN1652329A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510009184.9

申请日：2005-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三村忠昭 ,  滨谷毅 ,  水谷笃人 ,  植田贤治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。