公开(公告)号：CN1062916C

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN94106284.8

申请日：1994-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西斉 ,  青仓勇 ,  末光敏行 ,  滝澤贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵销等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。

公开(公告)号：CN1100151A

公开(公告)日：1995-03-15

申请号：CN94106284.8

申请日：1994-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西 ,  青仓勇 ,  末光敏行 ,  滝澤贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵消等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。