公开(公告)号：CN100334684C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN00106537.8

申请日：2000-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小俣雄二 ,  桥本尚隆 ,  横山政秀 ,  末光敏行 ,  北井崇博

IPC: H01K3/00 ,  H01K1/32 ,  C23C14/22

CPC classification number: C23C14/505 ,  H01J9/20 ,  H01K3/005 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/8305

Abstract: 提供一种薄膜形成方法，即使象各种蒸镀法和溅射法的成膜方法那样，使用只利用从特定方向飞来的成膜粒子的成膜方法，也可以在包含旋转椭圆体形状的被镀体衬底上形成均匀膜厚的薄膜。一种利用从成膜源沿一定方向飞来的成膜粒子在包括旋转椭圆体形状的衬底上形成薄膜的薄膜制造方法，以旋转椭圆体形状的旋转轴为中心，使衬底以一定的角速度旋转，进行自旋运动，同时，以旋转轴上的旋转椭圆体形状的2焦点间的中点附近为中心，进行使衬底以一定周期在同一面内旋转振动的摇摆运动，从而在衬底上形成薄膜。由此，即使是包括旋转椭圆体形状的衬底，也能够在衬底的外周方向和自旋运动的旋转轴方向上形成均匀的薄膜。

公开(公告)号：CN1181218C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN95119064.4

申请日：1995-12-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横山政秀 ,  早田博 ,  森诚一郎 ,  末光敏行 ,  大野锐二

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35

Abstract: 本发明揭示一种磁控管溅射装置，它在同一中心轴(1)的周围配设多块直径不同的环状平板靶(2、3)；在各靶(2、3)中，沿其内周缘部位置的表侧和里侧分别配设具有相同极性的磁铁(21、22、23、24)，沿其外周缘部位置的表侧和里侧分别配置具有相同极性的磁铁(23、24、25、26)，并配设成使内周侧与外周侧极性相反。具有不产生靶局部侵蚀的效果。

公开(公告)号：CN1277457A

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN00106537.8

申请日：2000-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 小俣雄二 ,  桥本尚隆 ,  横山政秀 ,  末光敏行 ,  北井崇博

IPC: H01K3/00 ,  H01K1/32 ,  C23C14/22

CPC classification number: C23C14/505 ,  H01J9/20 ,  H01K3/005 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/8305

Abstract: 提供一种薄膜形成方法,即使象各种蒸镀法和溅射法的成膜方法那样,使用只利用从特定方向飞来的成膜粒子的成膜方法,也可以在包含旋转椭圆体形状的被镀体衬底上形成均匀膜厚的薄膜。一种利用从成膜源沿一定方向飞来的成膜粒子在包括旋转椭圆体形状的衬底上形成薄膜的薄膜制造方法,以旋转椭圆体形状的旋转轴为中心,使衬底以一定的角速度旋转,进行自旋运动,同时,以旋转轴上的旋转椭圆体形状的2焦点间的中点附近为中心,进行使衬底以一定周期在同一面内旋转振动的摇摆运动,从而在衬底上形成薄膜。由此,即使是包括旋转椭圆体形状的衬底,也能够在衬底的外周方向和自旋运动的旋转轴方向上形成均匀的薄膜。

公开(公告)号：CN1062916C

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN94106284.8

申请日：1994-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西斉 ,  青仓勇 ,  末光敏行 ,  滝澤贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵销等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。

公开(公告)号：CN1260406A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN99126967.5

申请日：1999-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 末光敏行 ,  森达之 ,  横山政秀 ,  山本昌裕

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/20214

Abstract: 本发明为实现小型化和简单化的等离子处理装置,从真空容器(1)壁向真空容器内突设基板置放台(10),在设于该基板置放台上的凹部(10a)内配置安装基板(5)的回转支座(8)的同时以密封其外周的状态回转自如地加以支承,在该回转支座的内部设置叶片(9),并将流体的供给口(11)和排出口(12)在基板置放台上形成为对于叶片施加回转力状,由于从供给口供给流体,使基板在回转的同时冷却。

公开(公告)号：CN1133350A

公开(公告)日：1996-10-16

申请号：CN95119064.4

申请日：1995-12-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横山政秀 ,  早田博 ,  森诚一郎 ,  末光敏行 ,  大野锐二

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35

Abstract: 本发明揭示一种磁控管溅射装置，它在同一中心轴(1)的周围配设多块直径不同的环状平板靶(2、3)；在各靶(2、3)中，沿其内周缘部位置的表侧和里侧分别配设具有相同极性的磁铁(21、22、23、24)，沿其外周缘部位置的表侧和里侧分别配置具有相同极性的磁铁(23、24、25、26)，并配设成使内周侧与外周侧极性相反。具有不产生靶局部侵蚀的效果。

公开(公告)号：CN1100151A

公开(公告)日：1995-03-15

申请号：CN94106284.8

申请日：1994-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西 ,  青仓勇 ,  末光敏行 ,  滝澤贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵消等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。