公开(公告)号：CN1072734C

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN95109206.5

申请日：1995-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  横山政秀 ,  滝泽贵博

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/347 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于：沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。

公开(公告)号：CN100353203C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410059082.3

申请日：2004-07-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 後川和也 ,  青仓勇 ,  中村浩二郎 ,  西川英信 ,  伊藤知规

IPC: G02B7/02 ,  H04N5/335 ,  H01L27/14

CPC classification number: H04N5/2254

Abstract: 本发明有关一种镜头一体型摄像装置的制造方法和制造装置、及这样制造出的具有优良特性的镜头一体型摄像装置，具体为相对于安装着摄像芯片的组件自动地对有光学镜头的镜头保持部进行调整，使得来自光轴调整图案的光学图像成像于摄像芯片的摄像面，处在该调整后的位置上的镜头保持部和组件之间利用作为位置调整构件采用的粘接剂将它们互相固定。

公开(公告)号：CN1942281A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011996.5

申请日：2005-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 笹冈达雄 ,  堀江聪 ,  青仓勇 ,  八木能彦 ,  深田和岐

IPC: B23K20/24 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: B23K1/203 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3489 ,  H05K3/383 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0307 ,  Y10S438/974 ,  Y10T156/1023 ,  Y10T156/14 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明实现一种接合方法及其装置，在利用初始清洗工序(S1)将被接合物(1b、2a)的表面进行清洗、除去氧化物及吸附物等妨碍接合物质(G)之后，利用表面粗糙度控制工序(S3)在一方的接合面(1b)上形成规定粗糙度的凹凸，并利用表面处理工序(S5)除去附着在接合面(1b、2a)上的再吸附物(F)，将形成了凹凸的接合面(1b)与另一方的接合面(2a)压紧，进行接合，通过这样能够在大气压条件下进行常温金属接合。

公开(公告)号：CN1180883A

公开(公告)日：1998-05-06

申请号：CN97120643.0

申请日：1997-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西斉 ,  青仓勇 ,  小佐野浩一 ,  井上靖 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1878 ,  G11B5/314 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/115

Abstract: 一种磁头,包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜,并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分,氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。

公开(公告)号：CN1119552A

公开(公告)日：1996-04-03

申请号：CN95109206.5

申请日：1995-07-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  横山政秀 ,  滝泽贵博

IPC: B01D69/00

CPC classification number: H01J37/347 ,  H01J37/3405

Abstract: 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于：沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。

公开(公告)号：CN101174599A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710142334.2

申请日：2007-08-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤丰 ,  铃木宏明 ,  上田直人 ,  青仓勇 ,  吉田隆幸 ,  本藤拓磨

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有半导体元件(1)、配置成与半导体元件(1)的主面对置的导热体(91)、以及将所述半导体元件(1)和导热体(91)的一部分密封的密封树脂体(6)，并且导热体(91)的与半导体元件(1)对置的面的相反侧的面的一部分从密封树脂体(6)露出到外部；其中在所述导热体(91)的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部(11)。可从与半导体元件(1)的主面对置的开口部(11)注入树脂，所以能使质量稳定。

公开(公告)号：CN1576931A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059082.3

申请日：2004-07-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 後川和也 ,  青仓勇 ,  中村浩二郎 ,  西川英信 ,  伊藤知规

IPC: G02B7/02 ,  H04N5/335 ,  H01L27/14

CPC classification number: H04N5/2254

Abstract: 本发明有关一种镜头一体型摄像装置的制造方法和制造装置、及这样制造出的具有优良特性的镜头一体型摄像装置，具体为相对于安装着摄像芯片的组件自动地对有光学镜头的镜头保持部进行调整，使得来自光轴调整图案的光学图像成像于摄像芯片的摄像面，处在该调整后的位置上的镜头保持部和组件之间利用作为位置调整构件采用的粘接剂将它们互相固定。

公开(公告)号：CN1147619C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN96106823.X

申请日：1996-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西原守和 ,  木村悌一 ,  青仓勇

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明溅射成膜装置，包括位于具有供气、排气功能的真空容器内的平板状矩形基板和分割配置在相互电气绝缘地位于平面内的三块以上矩形电极板上的靶，以及配置使与各靶相对应，在各靶表面上产生规定磁力线的磁铁，从而提供了能以面对面静止方式向大面积矩形基板上稳定、高速、均匀成膜的溅射成膜装置。

公开(公告)号：CN1069931C

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN94119300.4

申请日：1994-12-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青仓勇 ,  山西齐 ,  大西阳一 ,  池田种次郎

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3426 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452

Abstract: 一种真空溅镀装置，使用由强磁性材料制成的矩形中间电极6进行溅镀。通过在中间电极6的表面侧沿其两侧边缘部的各侧边缘配置多个磁铁10，并使这些磁铁的相邻磁极的极性相反配置，同时夹着中间电极6相对的磁铁间的极性也相反配置，在靶板6的背面侧配置与中间电极6的表面侧所配置的磁铁具有同样极性关系的多个磁铁13，从而能在加工的基板表面形成均匀的薄膜。

公开(公告)号：CN101114630A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138426.3

申请日：2007-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青仓勇 ,  福田敏行 ,  太田行俊 ,  三木启司

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件，包括第1布线基板1，该第1布线基板1具有：将焊接凸点(24)(凸起电极)形成于电极焊点上的IC芯片(半导体元件)(2、3、4)；以及与IC芯片(2、3、4)的各焊接凸点(24)所连接的连接端子(7)、用于与外部设备问连接的外部连接端子(8)、及设置在形成于基板表面的沟槽部内并具有与所述连接端子(7)等连接的导体布线(9)。即使在按照狭窄的间距配置导体布线9时，由于沟部的存在仍能增大截面积，因此能降低布线电阻。