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公开(公告)号:CN1918484A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200580004556.7
申请日:2005-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01T1/29 , G01R33/035 , G21K5/00 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC classification number: H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供了束测量装置,用于高精度地、非破坏性地测量束电流值,并用于测量束位置。该束测量装置有:磁屏蔽部件,用于外部磁场屏蔽;以及多个磁场传感器,被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构,用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构,其表面由超导体构成,并且,在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束测量装置有多个磁场传感器,以便检测束位置和束电流。
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公开(公告)号:CN100495073C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200580004556.7
申请日:2005-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01T1/29 , G01R33/035 , G21K5/00 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC classification number: H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供了束流测量装置,用于高精度地、非破坏性地测量束电流值,并用于测量束流位置。该束流测量装置有:磁屏蔽部件,用于外部磁场屏蔽;以及多个磁场传感器,被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构,用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构,其表面由超导体构成,并且,在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束流测量装置有多个磁场传感器,以便检测束流位置和束电流。
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