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公开(公告)号:CN1090816C
公开(公告)日:2002-09-11
申请号:CN96106155.3
申请日:1996-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C14/50 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明涉及的气体传热等离子体装置,具备真空容器、真空泵、反应气体供给口、上部电极和下部电极、将被处理基片压在下部电极上的压紧圈、向下部电极供电的高频电源和向被处理基片背面与下部电极之间填充传热气体的传热气体供给装置。下部电极的基片承载面做成承受规定均匀压力的基片的挠曲面形状、气体压力选为约等于或小于该规定压力。该装置可使等离子体处理均匀、稳定,使用的冷却气体量少,易控制,且电极制作容易。
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公开(公告)号:CN1138746A
公开(公告)日:1996-12-25
申请号:CN96106155.3
申请日:1996-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C14/50 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明涉及的气体传热等离子体装置,具备真空容器、真空泵、反应气体供给口、上部电极和下部电极、将被处理基片压在下部电极上的压紧圈、向下部电极供电的高频电源和向被处理基片背面与下部电极之间填充传热气体的传热气体供给装置。下部电极的基片承载面做成承受规定均匀压力的基片的挠曲面形状、气体压力选为约等于或小于该规定压力。该装置可使等离子体处理均匀、稳定,使用的冷却气体量少,易控制,且电极制作容易。
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