公开(公告)号：CN100437912C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基极等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。

公开(公告)号：CN1842896A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基板等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。