公开(公告)号：CN102341922A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010085.1

申请日：2010-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福岛康之 ,  上田哲三

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: 氮化物半导体元件具有：以C面为生长面并且在上表面具有凹凸的第一氮化物半导体层(103)；和在第一氮化物半导体层(103)之上按照与凹凸接触的方式形成、并且为p型的第二氮化物半导体层(104)。位于凹凸的侧壁正上方的第二氮化物半导体层(104)的p型载流子浓度是1×1018/cm3以上。