公开(公告)号：CN1284243C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN03800231.0

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  宫永绩 ,  江利口浩二 ,  山田隆顺 ,  糸长总一郎 ,  森义弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10882 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10894 ,  Y10S257/905 ,  Y10S257/908

Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和沟渠型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。设有位线接点(31)和延伸于层间绝缘膜(30)上的位线(31)。在存储单元晶体管，源极扩散层(18)为两个绝缘膜侧壁(25a、25b)所覆盖，硅化物层未形成于源极扩散层(18)上。此外，设有贯通层间绝缘膜(30)而连接屏蔽线(33)和板形电极(16b)的板形电极接点(31)，此屏蔽线(33)设于和位线(32)相同布线层。

公开(公告)号：CN1507658A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN03800231.0

申请日：2003-02-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川久 ,  宫永绩 ,  江利口浩二 ,  山田隆顺 ,  糸长总一郎 ,  森义弘

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10882 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10894 ,  Y10S257/905 ,  Y10S257/908

Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和沟渠型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。设有位线接点(31)和延伸于层间绝缘膜(30)上的位线(31)。在存储单元晶体管，源极扩散层(18)为两个绝缘膜侧壁(25a、25b)所覆盖，硅化物层未形成于源极扩散层(18)上。此外，设有贯通层间绝缘膜(30)而连接屏蔽线(33)和板形电极(16b)的板形电极接点(31)，此屏蔽线(33)设于和位线(32)相同布线层。