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公开(公告)号：CN102714278A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080052072.0
申请日：2010-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 住友化学株式会社
IPC: H01L51/50 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/42 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22
CPC classification number: H01L51/0512 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , G03F7/0046 , H01L27/3246 , H01L51/0558 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H05B33/10
Abstract: 本发明的课题在于提供利用涂布法在所需的区域形成有功能性薄膜且特性和其寿命良好的设备、薄膜晶体管及其制造方法。课题的解决装置为一种设备，其特征在于，具有基板、形成在上述基板上的第一电极、形成在上述第一电极的上方的功能性薄膜、和设置在上述功能性薄膜的上方的第二电极，且在上述功能性薄膜的形成区域的周围还具有膜，所述膜含有含氟的基团与π共轭系通过环烯结构或环烷结构结合而得的化合物。
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公开(公告)号：CN102712664A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080052079.2
申请日：2010-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 住友化学株式会社
CPC classification number: G03F7/027 , C07F7/12 , C07F7/1804 , G03F7/0046 , G03F7/0755 , H01L51/0056 , H01L51/0095
Abstract: 本发明的课题在于，在照射光而进行功能性薄膜的微细图案处理的情况下，抑制照射光的层的基底层的特性降低及功能性薄膜的特性降低。课题的解决途径是，提供一种化合物，是利用光的照射使化合物(A)和化合物(B)进行二聚化反应而得，所述化合物(A)包含具有感光性且可以进行光二聚化反应的感光性基团、和具有亲液性的基团，所述化合物(B)包含具有感光性且可以进行光二聚化反应的感光性基团、和具有疏液性的基团。
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公开(公告)号：CN102714278B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201080052072.0
申请日：2010-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 住友化学株式会社
IPC: H01L51/50 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/42 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22
CPC classification number: H01L51/0512 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , G03F7/0046 , H01L27/3246 , H01L51/0558 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H05B33/10
Abstract: 本发明的课题在于提供利用涂布法在所需的区域形成有功能性薄膜且特性和其寿命良好的设备、薄膜晶体管及其制造方法。课题的解决装置为一种设备，其特征在于，具有基板、形成在上述基板上的第一电极、形成在上述第一电极的上方的功能性薄膜、和设置在上述功能性薄膜的上方的第二电极，且在上述功能性薄膜的形成区域的周围还具有膜，所述膜含有含氟的基团与π共轭系通过环烯结构或环烷结构结合而得的化合物。
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公开(公告)号：CN102414857B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080019186.5
申请日：2010-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5004 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示板的量产工艺，且实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(4)、发光层(5)、阴极(6)而构成有机EL元件(1)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(4)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层的空穴注入势垒。
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公开(公告)号：CN103053040A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068374.7
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5369 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（1）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（4）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（4）的表面形成堤（5）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（4）通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中在比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低相对于所述缓冲层的空穴注入势垒。在此，在由所述堤（5）规定的区域形成所述功能层侧的表面的一部分与其他部分相比更位于所述阳极一侧的凹陷构造，由所述堤的一部分覆盖所述凹陷构造的凹部的边缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103053041A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068393.X
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（3）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（3）的表面形成堤（12）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（3）通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层（6A）的空穴注入势垒。在空穴注入层（3）的上面形成凹部（4a），使该凹部的内面与功能层（缓冲层（6A）或发光层（6B））接触。
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公开(公告)号：CN1894808A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037646.1
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供有机EL器件，其在从低亮度到用于光源应用的高亮度的广阔范围上驱动，在广阔范围的亮度上稳定运作并具有良好的寿命特性。所述器件包含至少一对电极2和5以及多个安置于所述电极2和5之间的功能层，所述功能层包含由至少一种高分子材料构成并含有有机溶剂的具有发光功能的层4和由至少一种无机材料构成的电荷注入层3。
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公开(公告)号：CN101335322B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810146096.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种荧光体层、半导体发光装置及其制造方法，所述荧光体层，包括荧光体粒子、超微粒子和透光性树脂，其中：所述荧光体粒子被分散在所述荧光体层中，所述超微粒子的一次粒子的平均直径在3nm以上且50nm以下的范围内。据此，使组合了发光元件与所述荧光体层而得到的半导体发光装置的颜色不均匀较少。
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公开(公告)号：CN100423296C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN02802992.5
申请日：2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7735 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , F21S6/00 , F21S6/003 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/16145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05B33/14 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件，其为一种包括：基板4、装在基板4上的蓝色LED1及用以密封蓝色LED1之周围且由黄色荧光体粒子2及母材13(透光性树脂)的混合体构成的荧光体层3的芯片型半导体发光元件。黄色荧光体粒子2，吸收蓝色LED1所释放出的蓝色光，释放出在550nm以上且600nm以下的波长区域中具有发光峰值的荧光，且由以化学式(Sr1-a1-b1-xBaa1Cab1Eux)2SiO4(0≤a1≤0.3，0≤b1≤0.8，0＜x＜1)表示的化合物为主体而构成的硅酸盐荧光体。由于该硅酸盐荧光体的粒子容易大致均匀地分散在树脂中，所以可获得良好的白色光。
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公开(公告)号：CN102414857A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019186.5
申请日：2010-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5004 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示板的量产工艺，且实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(4)、发光层(5)、阴极(6)而构成有机EL元件(1)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(4)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层的空穴注入势垒。
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