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公开(公告)号：CN119300442A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410841064.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供一种可用于具有良好的电特性的半导体装置的氧化物半导体层。另外，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明是一种形成在衬底上的包含铟的氧化物半导体层，氧化物半导体层以与衬底的表面平行或大致平行的方式形成，氧化物半导体层具有第一区域、第一区域上的第二区域以及第二区域上的第三区域，第一区域大致垂直地位于离氧化物半导体层的被形成面有0nm以上且3nm以下处，在利用透射电子显微镜观察氧化物半导体层的截面时，在第一区域、第二区域及第三区域的每一个中确认到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN116803231A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180068990.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B53/30
Abstract: 提供一种具有良好的铁电性的铁电器件。该铁电器件包括第一绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的铁电层、铁电层上的第二导电体、第二导电体上的第二绝缘体以及包裹第一导电体、铁电层、第二导电体及第二绝缘体的第三绝缘体，第二绝缘体具有俘获或固定氢的功能，第三绝缘体具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN113557608A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020164.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。
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公开(公告)号：CN119031706A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410637530.0
申请日：2024-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置或存储装置。晶体管包括第一导电层、第二导电层、半导体层、半导体层上的栅极绝缘层及栅极绝缘层上的栅电极，第一绝缘层位于第一导电层与第二导电层之间，第二导电层位于第一绝缘层上，第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口部，半导体层与开口部的侧壁接触，半导体层包括第一氧化物层及第二氧化物层，第一氧化物层具有第一区域及第二区域，第二氧化物层位于第一区域与第二区域之间。
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公开(公告)号：CN110199386B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880007414.3
申请日：2018-01-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H10B41/20 , H10B41/70 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110199386A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007414.3
申请日：2018-01-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。
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公开(公告)号：CN119300428A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410867831.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置、存储装置或该半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种使用氧化物半导体层的晶体管、半导体装置、存储装置或该氧化物半导体层的制造方法，该氧化物半导体层包括第一区域、第一区域上的第二区域、第二区域上的第三区域，第一区域位于离氧化物半导体层的被形成面在大致垂直方向上有0nm以上且3nm以下处，并且在使用透射电子显微镜对氧化物半导体层进行截面观察的情况下，第一区域、第二区域及第三区域中都观察到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN117355134A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311273190.X
申请日：2018-01-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H10B41/20 , H10B41/70 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 本公开涉及电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。
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公开(公告)号：CN117305780A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310755764.0
申请日：2023-06-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 提供一种新颖的溅射靶材及溅射靶材的制造方法。溅射靶材包括第一区域及第二区域。第一区域包括含有元素M1(元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr及B中的一种或多种)的第一金属氧化物。第二区域包括含有铟及锌的第二金属氧化物。第一区域与第二区域彼此分离。第一区域及第二区域各自为晶粒。第一区域与第二区域之间观察到晶界。第一区域及第二区域各自的径为5nm以上且10μm以下。
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公开(公告)号：CN113795928A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080032665.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第一导电体及第二导电体；与第一氧化物的侧面接触的第一层及第二层；第一绝缘体、第一层、第二层、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；配置在第一导电体与第二导电体之间且第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第四绝缘体；以及第四绝缘体上的第三导电体，其中，第一层及第二层各自包含第一导电体及第二导电体所含有的金属，并且，与第二绝缘体接触的区域中的第一绝缘体具有金属的浓度比第一层或第二层低的区域。
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