公开(公告)号：CN1234137A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN97198996.6

申请日：1997-03-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 铃木孝明 ,  生田目俊秀 ,  东山和寿

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3165 ,  H01L28/55 ,  H01L29/51 ,  H01L29/516

Abstract: 通过使氧化物电介质薄膜的形成气氛在低氧气浓度下进行,可以使形成温度为比以往低的温度。其结果是,具有在沿上下方向具有极化轴的晶面方位上优先定向的晶体结构,可防止与电极材料的反应,并能对晶粒的生长进行控制,因而可以制作出具有高自发极化强度和小矫顽电场的氧化物电介质元件。因此,可以实现对读出及写入进行检测的高集成度电介质元件以及采用该元件的半导体装置。

公开(公告)号：CN1292931A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN98814030.6

申请日：1998-09-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 藤原彻男 ,  生田目俊秀 ,  铃木孝明 ,  东山和寿

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/60

Abstract: 这里揭示了由上电极、铁电薄膜和下电极构成的铁电电容器和具有铁电电容器的电子器件,特征在于所述铁电薄膜为钙钛矿型的含Pb氧化物,而上电极和下电极含有Pt和Pb的金属间化合物。本发明是为解决下述问题而设计的。在常规非易失性铁电存储器中,在PZT与电极的界面附近产生退化层。在电极与铁电薄膜界面处产生应力。退化层和界面应力使铁电电容器的初始极化特性变坏,并且在多次开关循环后极化特性会严重退降。

公开(公告)号：CN100431069C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN02812729.3

申请日：2002-07-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 荻野雅彦 ,  佐藤俊也 ,  三轮崇夫 ,  生田目俊秀 ,  天羽悟

IPC: H01G4/33

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/162 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有在规定面上形成的下部电极、在上述下部电极上形成的电介质层和在上述电介质层上形成的上部电极的薄膜电容器中，其特征在于：用电介质层以外的绝缘体覆盖了上述下部电极的端部。

公开(公告)号：CN1520599A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN02812729.3

申请日：2002-07-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 荻野雅彦 ,  佐藤俊也 ,  三轮崇夫 ,  生田目俊秀 ,  天羽悟

IPC: H01G4/33

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/162 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有在规定面上形成的下部电极、在上述下部电极上形成的电介质层和在上述电介质层上形成的上部电极的薄膜电容器中，其特征在于：用电介质层以外的绝缘体覆盖了上述下部电极的端部。

公开(公告)号：CN1630946A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02812704.8

申请日：2002-07-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤俊也 ,  荻野雅彦 ,  三轮崇夫 ,  内藤孝 ,  滑川孝 ,  生田目俊秀 ,  元胁成久

IPC: H01L27/01 ,  H01G4/40 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L27/13 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/16 ,  H05K1/162 ,  H05K1/165 ,  H05K1/167 ,  H05K3/28 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09536 ,  H05K2201/09827 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种电子电路部件，可以改善通过把单个无源元件安装在基板上构成的模块的大型化和安装成本的上升，且可以成本低、可靠性高、制造生产率良好且高密度地安装电容器、电感器、电阻器等的多种电子部件。该电子电路部件包括：绝缘性基板；由在上述绝缘性基板上设置的面积不同的多个电极和夹在它们之间的介电体材料构成的从电容元件、电感元件、电阻元件中选出的一个或多个元件；连接上述元件的金属布线；作为上述金属布线的一部分的金属端子部；以及有机绝缘材料，该有机绝缘材料覆盖除上述元件和上述金属端子部以外的金属布线部分的周围。

公开(公告)号：CN1276089A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN97182437.1

申请日：1997-11-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 生田目俊秀 ,  铃木孝明 ,  东山和寿 ,  大石知司

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/94 ,  H01B3/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  C03C10/02 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  B32B18/00

Abstract: 本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的形式夹于电极之间。通过将该铁电元件装进场效应晶体管结构中,可以得到用以检测读出和写入的具有高集成度的半导体装置。

公开(公告)号：CN1165380A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN97109593.0

申请日：1997-03-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 生田目俊秀 ,  铃木孝明 ,  大石知司 ,  高桥研 ,  前田邦裕

IPC: G11C11/22

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691

Abstract: 提供一种铁电元件，通过使用的钙钛矿结构铁电薄膜，该元件高度集成，且Pr值高，Ec值低。为了制备铁电元件，其结构中夹在电极间的铁电薄膜具有强的自然极化作用和弱矫顽电场，通过用具有不同离子半径的元素作为构成晶格的A位置、B位置和产生极化作用的C位置的元素，使钙钛矿结构铁电薄膜的晶格产生大的畸变。