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公开(公告)号：CN103668460A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c-轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm-2或更大。
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公开(公告)号：CN103320864A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310085505.8
申请日：2013-03-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C01B21/064 , C01B21/0632 , C30B9/06 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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公开(公告)号：CN106103817B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580014199.6
申请日：2015-02-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 在第13族氮化物晶体的制造方法中，将由第13族氮化物晶体制成的晶种布置于包含碱金属和第13族元素的混合熔体中，且向所述混合熔体供应氮气以在所述晶种的主面上生长第13族氮化物晶体。所述晶种通过气相外延而制造。与容纳所述混合熔体的反应容器中的所述混合熔体接触的接触部件的至少一部分由Al2O3制成。在所述晶种和所生长的13族氮化物晶体之间形成具有其波长比所生长的第13族氮化物晶体的光致发光发射峰的波长要长的光致发光发射峰的界面层。
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公开(公告)号：CN105452545A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044635.X
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/068 , C30B29/406
Abstract: 一种方法用于通过助熔剂法制造第13族氮化物晶体。该方法包括：将种晶和含有碱金属或碱土金属和第13族元素的混合熔体置于反应容器中；以及使所述反应容器旋转以搅拌所述混合熔体。所述反应容器包括搅拌所述混合熔体的结构体。将多于一个种晶相对于所述反应容器的中心轴点对称地安置于除该中心轴以外的位置处，使得每个种晶的c平面均与所述反应容器的底部基本平行。将所述结构体相对于所述中心轴点对称地安置于所述反应容器的除中心轴以外的至少部分处。
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公开(公告)号：CN106103816A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480077198.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种氮化镓晶体的制造方法，其包括：其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤，以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103668460B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。
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公开(公告)号：CN105452545B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201480044635.X
申请日：2014-08-05
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/068 , C30B29/406
Abstract: 一种方法用于通过助熔剂法制造第13族氮化物晶体。该方法包括：将种晶和含有碱金属或碱土金属和第13族元素的混合熔体置于反应容器中；以及使所述反应容器旋转以搅拌所述混合熔体。所述反应容器包括搅拌所述混合熔体的结构体。将多于一个种晶相对于所述反应容器的中心轴点对称地安置于除该中心轴以外的位置处，使得每个种晶的c平面均与所述反应容器的底部基本平行。将所述结构体相对于所述中心轴点对称地安置于所述反应容器的除中心轴以外的至少部分处。
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公开(公告)号：CN106319617A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610681560.7
申请日：2013-03-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: C30B9/06 , C30B29/40 , C01B21/064 , C01B21/06
CPC classification number: C01B21/064 , C01B21/0632 , C30B9/06 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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公开(公告)号：CN106283174A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610709174.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c-轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm-2或更大，并且是c-面的螺旋位错的位错密度的1000倍或更多。
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公开(公告)号：CN106103817A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014199.6
申请日：2015-02-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 在第13族氮化物晶体的制造方法中，将由第13族氮化物晶体制成的晶种布置于包含碱金属和第13族元素的混合熔体中，且向所述混合熔体供应氮气以在所述晶种的主面上生长第13族氮化物晶体。所述晶种通过气相外延而制造。与容纳所述混合熔体的反应容器中的所述混合熔体接触的接触部件的至少一部分由Al2O3制成。在所述晶种和所生长的13族氮化物晶体之间形成具有其波长比所生长的第13族氮化物晶体的光致发光发射峰的波长要长的光致发光发射峰的界面层。
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