公开(公告)号：CN100559578C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200510098857.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。

公开(公告)号：CN1881577A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610092572.2

申请日：2006-06-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 熊田辉彦 ,  信时英治 ,  保田直纪 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了一种通过使用环硼氮烷系的化合物的绝缘膜来提高绝缘材料和布线材料间的附着性或机械强度等特性的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：在凹部埋入了第1导体层2的第1绝缘层1，在第1绝缘层上形成的刻蚀阻止层3，在刻蚀阻止层3上形成的第2绝缘层4，在第2绝缘层4上形成的第3绝缘层7，被埋入到第2绝缘层4和第3绝缘层7的凹部的第2导体层5；其特征在于：第2绝缘层4和第3绝缘层7是以含碳的环硼氮烷化合物为原料、利用化学汽相淀积法而形成的；第3绝缘层7的含碳率比第2绝缘层4的含碳率低。

公开(公告)号：CN1747167A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510098857.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。

公开(公告)号：CN100539116C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510082522.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN1819181A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006224.9

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 筒江诚 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被低介电常数膜覆盖的金属布线的半导体装置中，能够提高防止来自金属布线的扩散的金属扩散防止膜、和低介电常数膜之间的界面的粘附性，实现低介电常数膜和金属扩散防止膜难以脱离的可靠性较高的半导体装置。在衬底上依次形成有第1绝缘膜21、第2绝缘膜23A、第3绝缘膜23B、由SiOC构成的第4绝缘膜24和第5绝缘膜25。第2绝缘膜23A为与氧相比氮原子百分率的值较高的SiOCN膜，第3绝缘膜23B为与氮相比氧原子百分率的值较高的SiOCN膜。在第3绝缘膜23B的上面，形成有氧对于硅的组成比与第3绝缘膜23B的底面相比，高5％或5％以上的表面层23a。

公开(公告)号：CN101330045B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810145438.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN101330045A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810145438.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN1728375A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510082522.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。