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公开(公告)号：CN1819181A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006224.9
申请日：2006-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被低介电常数膜覆盖的金属布线的半导体装置中，能够提高防止来自金属布线的扩散的金属扩散防止膜、和低介电常数膜之间的界面的粘附性，实现低介电常数膜和金属扩散防止膜难以脱离的可靠性较高的半导体装置。在衬底上依次形成有第1绝缘膜21、第2绝缘膜23A、第3绝缘膜23B、由SiOC构成的第4绝缘膜24和第5绝缘膜25。第2绝缘膜23A为与氧相比氮原子百分率的值较高的SiOCN膜，第3绝缘膜23B为与氮相比氧原子百分率的值较高的SiOCN膜。在第3绝缘膜23B的上面，形成有氧对于硅的组成比与第3绝缘膜23B的底面相比，高5％或5％以上的表面层23a。
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公开(公告)号：CN1617312A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410088940.7
申请日：2004-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 通过芯片区域的外围部分中的多个绝缘膜的多层结构，形成密封环结构以围绕该芯片区域。在该芯片区域中的至少一个绝缘膜中形成双重镶嵌互连，该双重镶嵌互连中集成有一个互连和一个连接到该互连的插塞。形成在该绝缘膜内的部分密封环结构是连续的，该绝缘膜中形成有双重镶嵌互连。形成在多层结构上的保护膜在保护环上具有开口。在开口中形成连接到该密封环的盖层。
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公开(公告)号：CN1241264C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03159897.8
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01G4/33
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L21/76807 , H01L21/76838 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。
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公开(公告)号：CN1750265A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510102919.2
申请日：2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/76838 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，具有MIM电容器，该电容器包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜、由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下电极、形成在下电极上的电容器绝缘膜和由形成在电容器绝缘膜上的第二金属膜组成的上电极。该半导体器件还具有由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下互连和由形成在下互连上的第二金属膜组成的上互连。该上互连和该上电极形成为一体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477174C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510103452.3
申请日：2005-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 筒江诚
IPC: H01L23/00 , H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种电子器件及其制造方法。在衬底(101)上形成有层间绝缘膜(106～108)的叠层结构。在芯片区域(102)的层间绝缘膜(106～108)中形成有布线(112、114、116)，同时形成有通路(111、113、115)。在芯片区域(102)边缘部分中的层间绝缘膜(106～108)的叠层结构中形成有穿过该叠层结构且连续地围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在密封环(104)外侧的层间绝缘膜(106～108)的叠层结构中形成有穿过该叠层结构且断续地围绕密封环(104)的应力吸收壁(105)。因此能使切割时的损伤到达密封环和芯片区域的危险性下降，而由此防止电子器件的可靠性下降。
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公开(公告)号：CN1494152A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03159897.8
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01G4/33
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L21/76807 , H01L21/76838 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。
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公开(公告)号：CN101419948A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810171397.5
申请日：2008-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 筒江诚
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，可避免切割时的应力或裂纹到达密封环以及芯片区域而使半导体装置的可靠性下降的危险。半导体装置具备形成于基板(11)上的元件；形成于基板(11)上的绝缘膜(13～18)；在绝缘膜(13～18)中，以包围元件所形成的区域且贯穿绝缘膜(13～18)的方式形成的密封环(103)；以及空隙区域(105)，其从元件看形成在位于更靠密封环(103)外侧部分的绝缘膜(13～18)，且含有空隙(41～44)。
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公开(公告)号：CN100463176C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510102919.2
申请日：2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/76838 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，具有MIM电容器，该电容器包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜、由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下电极、形成在下电极上的电容器绝缘膜、和由形成在电容器绝缘膜上的第二金属膜组成的上电极。该半导体器件还具有由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下互连、和由形成在下互连上的第二金属膜组成的上互连。该上互连和该上电极形成为一体。
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公开(公告)号：CN1753169A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510103452.3
申请日：2005-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 筒江诚
IPC: H01L23/00 , H01L21/78 , H01L21/301
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种电子器件及其制造方法。在衬底(101)上形成有层间绝缘膜(106～108)的叠层结构。在芯片区域(102)的层间绝缘膜(106～108)中形成有布线(112、114、116)，同时形成有通路(111、113、115)。在芯片区域(102)边缘部分中的层间绝缘膜(106～108)的叠层结构中形成有穿过该叠层结构且连续地围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在密封环(104)外侧的层间绝缘膜(106～108)的叠层结构中形成有穿过该叠层结构且断续地围绕密封环(104)的应力吸收壁(105)。因此能使切割时的损伤到达密封环和芯片区域的危险性下降，而由此防止电子器件的可靠性下降。
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