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公开(公告)号：CN1823179A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax－Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave－Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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公开(公告)号：CN1280446C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其是根据下式，基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN1823179B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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公开(公告)号：CN1550573A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag－Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子％－1或以下，其是根据下式，基于X－射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN106337171A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610490806.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C18/32 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C28/021 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板，其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长，使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层，并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层，并且所述底层是Al合金膜，所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1361525A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01136657.5
申请日：2001-10-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/259 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/2595 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 一种能够抑制Ag晶粒成长的光信息记录介质用反射层或半透明反射层,其特征在于,用含有Nd 0.1～3.0原子%的Ag基合金构成。从而提供了一种当然具有高反射率,而且能够抑制Ag晶粒成长的结构稳定性优良的新型光信息记录介质用反射层·半透明反射层、光信息记录介质以及光信息记录介质用溅射靶。
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公开(公告)号：CN104885319A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068034.8
申请日：2013-12-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H02G5/02
CPC classification number: H01B7/30 , H01B5/04 , H01B7/0241 , H01B7/306 , H01B13/0006 , H01B13/0891 , Y10T29/49174
Abstract: 母线(1)具备：层叠导体线(20)，将平板状的第1导体线(21)和平板状的第2导体线(22)并设在长边方向上，并重叠成第1导体线(21)和第2导体线(22)各自的宽度方向上的外部的表面相对置；和端子部(30)，在层叠导体线(20)的两端侧与第1导体线(21)和第2导体线(22)相接合，其中，平板状的第1导体线(21)将带状导体(11、12)在宽度方向上相邻地卷绕成螺旋状，并且使内部的相对置的表面相靠近，平板状的第2导体线(22)将带状导体(11、12)卷绕成与第1导体线(21)相反方向的螺旋状并且使内部的相对置的表面相靠近。
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公开(公告)号：CN1901054B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200610101952.8
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜用于光学信息记录介质并包含作为主成分的Ag、总共1-10原子％的选自Nd、Gd、Y、Sm、La和Ce中的至少一种，以及总共2-10原子％的选自Li、Mg、Al、Zn、Cu、Pt、Au、Pd、Ru和Rh中的至少一种。反射膜优选还包含0.01-3原子％的Bi和Sb中的至少一种和/或2-10原子％的选自In、Sn和Pb中的至少一种。一种光学信息记录介质包括该银合金反射膜。一种银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN101260484A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083440.2
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1901055A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610107508.7
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。
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