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公开(公告)号：CN105301015A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510435019.3
申请日：2015-07-22
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01N21/956
Abstract: 本发明涉及一种图案缺陷检查方法，该图案缺陷检查方法利用对主板通过光学系统多次拍摄后进行结合而成的主图像，能够容易地检查基板上形成的缺陷，其中包括：准备步骤，准备不存在缺陷的主板；登记步骤，利用光学系统，对所述主板的彼此不同的区域进行多次拍摄并进行结合后，登记为主图像；拍摄步骤，对在检查对象基板中推定为存在缺陷的检查区域，通过所述光学系统，以与所述主图像相同的倍率进行拍摄后，登记为检查图像；及匹配步骤，对所述主图像与所述检查图像进行匹配后，检索所述检查区域内的缺陷。
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公开(公告)号：CN101657893B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880009848.3
申请日：2008-04-17
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/94 , G01N21/95607
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的异物检测和修复系统及其方法。该系统包括：移送臂，用于移送并对准晶圆；检测装置，其安置晶圆，用于获取晶圆表面的图像；分析模块，用于分析出现在由所述检测装置获取的图像上的异物；以及修复装置，用于根据所分析的异物信息修复异物。该方法包括以下步骤：移送并对准晶圆；向经过对准的晶圆照射光线以获取晶圆的表面图像；读取表面图像以生成异物信息(位置、高度、直径)；将读取的异物信息与基准数据进行比较；将根据比较结果被判定为修复对象的异物的信息传送到修复装置；根据接收到的异物信息修复该异物。通过本发明的简单的结构检测及修复晶圆上的异物，能够节约费用，防止制造装备损耗，并提高半导体芯片的产率。
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公开(公告)号：CN102027315B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880121148.3
申请日：2008-04-01
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0675
Abstract: 本发明涉及一种厚度测定方法，本发明所涉及的厚度测定方法利用干涉计测定层叠在基底层上的对象层的厚度，上述厚度测定方法包括：通过由与上述对象层实质上相同的材质构成并具有相互不同厚度的诸多样品层，获得对于上述样品层厚度的相位差的关系式的步骤；在空气层和基底层的分界面上，求出对于入射到上述基底层的光轴方向的第一干涉信号的步骤；在上述对象层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第二干涉信号的步骤；对于上述光轴方向，在实质上相同的高度上，求出上述第一干涉信号的相位和上述第二干涉信号的相位之间的相位差的步骤；以及将上述相位差代入上述关系式来确定上述对象层厚度。
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公开(公告)号：CN101802545A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880104955.4
申请日：2008-08-11
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/24
CPC classification number: G01B11/2518
Abstract: 提供了一种利用LCD的三维形貌测量装置，将正弦波图案形成在测量物上，借此用摄像机及上述正弦波图案获得测量物的影像信息，然后分析影像信息来测得测量物的形貌，所述装置包括LCD投影仪，该LCD投影仪包括：向前方照射光的光源；位于光源的前方，产生具有多个相位和多个周期的正弦波图案的LCD面板；配置在LCD面板的前方及后方的偏转板；隔开配置在LCD面板的前方，使由LCD面板产生的正弦波图案成像在测量物上的第一聚焦透镜；以及支承上述光源、LCD面板、偏转板及第一聚焦透镜的壳体。
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公开(公告)号：CN105547131A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510694947.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 株式会社SNU精密
Abstract: 本发明涉及沉积用磁体检查装置，本发明的沉积用磁体检查装置为用于检查在沉积工艺中对准基板和掩模时使用的磁体的装置，包括：掩模，由金属材料形成有规定的图案；基板，对准安装于所述掩模的上面；固定部，设置为使与所述掩模对准的所述基板的上面接触并被临时固定，在固定部的内部沿上下方向可移动地收容有所述磁体；及检查部，配置在所述掩模的下方，用于检测根据所述磁体和所述掩模之间距离的磁通密度和图案的下垂现象中的至少一个。由此，本发明提供一种在与向上式沉积环境相同的环境下检查在对准基板和掩模时使用的磁体，并且使在检查中可能会产生的震动最小化，从而能够获得精密及高可靠性的磁体检查结果的沉积用磁体检查装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102077051B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980124818.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/25
CPC classification number: G01B11/0675
Abstract: 本发明涉及厚度或表面形貌检测方法，根据本发明的厚度或表面形貌检测方法，利用白色光干涉计检测层叠在基底层上的薄膜层的厚度或表面形貌，其包括以下步骤：设置多个具有不同厚度的假想的薄膜层样品，并对各个薄膜层样品模拟出干涉信号，以形成与每一个厚度对应的模拟干涉信号的步骤；向所述薄膜层照射白色光，获得相对于入射到所述薄膜层的光轴方向的实际干涉信号的步骤；根据所述实际干涉信号，形成可能成为所述薄膜层厚度的多个厚度估算值的步骤；对具有与所述厚度估算值对应的厚度的模拟干涉信号与所述实际干涉信号进行比较并判断是否基本一致的步骤；以及将与所述实际干涉信号基本一致的模拟干涉信号的厚度确定为所述薄膜层的厚度的步骤。
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公开(公告)号：CN101641178B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780046687.0
申请日：2007-06-15
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: B23K26/00
CPC classification number: B23K26/067
Abstract: 本发明涉及一种通过使用激光束来加工工件表面的激光加工装置。该激光加工装置包括：用于发射激光束的激光束发生单元；以及具有多个微镜的微镜器件，这些微镜被配置成以将所述工件的表面加工成所需形状的模式，将从所述激光束发生单元发射的激光束中的至少一部分激光束反射和传递到工件的表面。其中，所述微镜器件的微镜能够有选择地转换由所述激光束发生单元发射的激光束的光路。根据本发明，可用激光束将工件表面加工成二维或三维的所需形状。
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公开(公告)号：CN101802545B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200880104955.4
申请日：2008-08-11
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/24
CPC classification number: G01B11/2518
Abstract: 提供了一种利用LCD的三维形貌测量装置，将正弦波图案形成在测量物上，借此用摄像机及上述正弦波图案获得测量物的影像信息，然后分析影像信息来测得测量物的形貌，所述装置包括LCD投影仪，该LCD投影仪包括：向前方照射光的光源；位于光源的前方，产生具有多个相位和多个周期的正弦波图案的LCD面板；配置在LCD面板的前方及后方的偏转板；隔开配置在LCD面板的前方，使由LCD面板产生的正弦波图案成像在测量物上的第一聚焦透镜；以及支承上述光源、LCD面板、偏转板及第一聚焦透镜的壳体。
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公开(公告)号：CN101836153A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200980100216.2
申请日：2009-01-16
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/9513 , G02F1/1303
Abstract: 本发明涉及暗场检测装置，包括：照明单元，向基板上的被检物体发射光线；反射单元，将被所述被检物体反射后射入的光线或者透射所述基板射入的光线重新反射到所述被检物体；及摄像单元，利用从所述被检物体散射过来的光线拍摄所述被检物体。其中，所述照明单元、反射单元及摄像单元的配置要满足：由所述照明单元发射的光线中部分光线被所述被检物体散射到所述摄像单元，由所述照明单元发射的光线中另一部分光线则射入所述反射单元，而被所述反射单元重新反射到所述被检物体的光线则被所述被检物体散射后射入所述摄像单元。
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公开(公告)号：CN101802543A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106944.X
申请日：2008-04-02
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种厚度测定装置，包括：第一分光器，用于反射或透射从光源照射的光或者由被测对象反射的光；第一透镜部，用于向被测对象会聚光，并生成与所述由被测对象反射到的光存在光路径差的基准光；第二透镜部，用于向被测对象会聚光；干涉光检测器，其与所述第一透镜部相对应形成光路径，并测出通过由所述被测对象反射的光和所述基准光所产生的干涉信号；分光检测器，其与所述第二透镜部相对应形成与通过所述干涉光检测器形成的光路径不同的光路径，并分光由所述被测对象反射的光，以检测出被分光的光的强度和波长；及光路径变换部，有选择地向干涉光检测器或者分光检测器中的其中一侧传送光。第一透镜部和第二透镜部可在光路径上交换位置。
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