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公开(公告)号：CN119045218A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411073319.7
申请日：2024-08-06
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、电光调制器；所述半导体结构包括：第一光波导，沿第一方向延伸；所述第一光波导包括在第二方向上交替设置的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触形成多个PN结；所述第二方向与所述第一方向相交；第一电极以及第二电极；其中，所述第一光波导具有在所述第二方向上相对设置的第一侧和第二侧；所述第一侧为所述第一掺杂区，且与所述第一电极耦接；所述第二侧为所述第二掺杂区，且与所述第二电极耦接。
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公开(公告)号：CN115421322B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211152297.4
申请日：2022-09-21
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种调制器及其制作方法，所述调制器包括：第一半导体结构，包括：驱动芯片；波导结构，位于覆盖所述驱动芯片的介质层中；导电结构，与所述波导结构并列设置，且贯穿所述介质层；第二半导体结构，与所述第一半导体结构堆叠设置，包括：电光调制结构，覆盖所述介质层相对远离所述驱动芯片的表面，且通过所述导电结构与所述驱动芯片电连接；其中，所述电光调制结构被配置为：当被所述驱动芯片供电时，调制所述波导结构中传输的光信号。
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公开(公告)号：CN117631335A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311585894.0
申请日：2023-11-22
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种调制器，该调制器包括沿第一方向依次连接的光分束器、相位调制波导、强度衰减波导和光合束器；光分束器用于接收初始光信号，并将初始光信号分束为第一初始光信号和第二初始光信号；相位调制波导用于对第一初始光信号和第二初始光信号进行相位调制；强度衰减波导用于对相位调制后的第一初始光信号和第二初始光信号进行强度衰减；光合束器用于将强度衰减后的第一初始光信号和第二初始光信号合束为目标光信号并输出。
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公开(公告)号：CN117201016A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311270299.8
申请日：2023-09-27
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: H04L9/08 , H04B10/70 , H04B10/85 , H04B10/532
Abstract: 本公开实施例提供了一种用于QKD量子态编码的光子集成结构，该光子集成结构包括：分光结构，用于接收初始光源，按照目标分光比例对初始光源进行分光处理，得到第一光分量和第二光分量；相移结构，用于接收第一光分量和第二光分量，对第一光分量和/或第二光分量进行相移处理，得到具有目标相位差的第三光分量和第四光分量；光合束结构，用于接收第三光分量和第四光分量，并对第三光分量和第四光分量进行旋转合束处理，得到目标光信号；其中，目标光信号具有目标量子态，且目标量子态和目标分光比例以及目标相位差具有对应关系。本公开实施例能够实现准确制备目标量子态。
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公开(公告)号：CN116165813A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310003328.8
申请日：2023-01-03
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种光调制器及其形成方法，所述方法包括：在介质层上形成初始掺杂层；刻蚀所述初始掺杂层的第一预设区形成初始第一波导，并刻蚀所述初始掺杂层的第二预设区至预设高度形成刻蚀后的所述第二预设区；基于刻蚀后的所述第二预设区，形成初始第二波导；分别对所述初始第一波导和刻蚀后的所述第一预设区进行P型掺杂，对应形成第一波导和P型掺杂区；分别对所述初始第二波导和刻蚀后的所述第二预设区进行N型掺杂，对应形成第二波导和N型掺杂区；其中，所述第一波导和所述第二波导形成脊波导，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区形成掺杂层；在所述掺杂层上形成包覆所述脊波导的覆盖层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115857199A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211550428.4
申请日：2022-12-05
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种铌酸锂光发射器及其形成方法，其中，铌酸锂调制器芯片、倒装在所述铌酸锂调制器芯片上的激光器芯片和电驱动芯片；其中，所述电驱动芯片与所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极通过倒装实现互连，所述电驱动芯片用于向所述调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对所述激光器芯片产生的光信号进行调制。
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公开(公告)号：CN115832839A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211459315.3
申请日：2022-11-17
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种激光器，该激光器包括：光学装置，至少包括半导体光放大器和光输出端口；第一分束器，至少包括第一端口、第二端口以及第三端口，第一端口与所述光学装置连接；第一微环谐振器，至少包括两个第一弯曲波导，第一微环谐振器具有第一自由光谱程；第二微环谐振器，至少包括两个第二弯曲波导，第二微环谐振器具有第二自由光谱程，第二自由光谱程与所述第一自由光谱程不同；第一微环谐振器与第二端口耦合，第一微环谐振器与第二微环谐振器通过连接波导连接，第二微环谐振器与第三端口耦合。
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公开(公告)号：CN115440756A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211153119.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L27/146 , G02F1/03 , G02F1/035
Abstract: 本公开实施例提供一种光收发器及其制造方法。所述光收发器包括：三维集成的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：光电探测器、驱动芯片、第一波导结构、多个第一金属电极和多个第一导电通孔结构；其中，所述驱动芯片通过多个所述第一导电通孔结构电连接至多个所述第一金属电极；第二半导体结构包括：电光调制层，所述电光调制层覆盖所述第一波导结构和多个所述第一金属电极；其中，所述电光调制层与多个所述第一金属电极电连接；所述电光调制层、所述第一波导结构和多个所述第一金属电极构成调制器。
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公开(公告)号：CN119596570A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411863384.X
申请日：2024-12-17
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种移相器，移相器包括：衬底；形成于衬底上方的绝缘层；形成于绝缘层上方的覆盖层；覆盖层包括至少一个波导和至少一个半导体区域，波导和半导体区域沿第一方向交替排列；半导体区域包括至少一个第一半导体和至少一个第二半导体，第一半导体和第二半导体沿第二方向交替排列，第一半导体和第二半导体的掺杂类型不同；第二方向为波导的延伸方向，第一方向和第二方向不平行；形成于覆盖层上方的金属层，金属层包括至少一个金属块，每一金属块用于电连接沿第一方向或第二方向相邻的第一半导体和第二半导体，被电连接的第一半导体和第二半导体形成制热区域或制冷区域，制热区域或制冷区域用于对波导传输的光信号进行相位调整。
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公开(公告)号：CN119105115A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411445860.6
申请日：2024-10-16
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 一种光波导、硅基集成光开关、以及电池，属于芯片光开关领域，所述光波导的材质为复合材料，所述复合材料包括钛酸铋钠、钛酸铋钾、以及钛酸钡；所述光波导的折射率随环境温度变化。硅基集成光开关包含光波导，在环境温度低于相变温度时，所述光波导具有第一折射率，所述硅基集成光开关导通，在环境温度高于相变温度时，所述光波导具有第二折射率，所述硅基集成光开关断开。本申请利用包含钛酸铋钠、钛酸铋钾、以及钛酸钡的复合材料制作光波导，将复合材料光波导应用到光开关中，利用复合材料光波导的折射率随温度变化的特性，光开关可以实现通断光信号的作用，提高光开关对温度的敏感性，提高智能化程度，降低制造成本。
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