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公开(公告)号:CN103367086B
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201310219270.7
申请日:2013-04-01
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
Inventor: M·克纳皮奇
CPC classification number: G21K5/10 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20221 , H01J2237/20285 , H01J2237/28 , H02P8/40
Abstract: 本发明涉及一种用于调整安置在粒子射线设备内的支架元件的位置的方法,其中,所述支架元件设计用于支承物体,所述粒子射线设备具有至少一个用于粒子射线的射线发生器和至少一个用于聚焦粒子射线的物镜,并且其中支架元件设计借助至少一个第一步进电动机可运动。所述方法具有如下步骤:通过以作为交流电的第一电动机电流控制操纵所述第一步进电动机,使所述支架元件开始运动;将所述第一电动机电流调节至第一频率和第一振幅;通过减小所述第一电动机电流的第一频率和第一振幅,对所述支架元件的运动进行制动,其中,将第一频率在第一可预设时间区间内减小至零,并且其中,将第一振幅在第一可预设时间区间内减小至可预设的第一保持电流的振幅。
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公开(公告)号:CN105280489A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510102366.4
申请日:2015-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J2237/20214 , H01J2237/3341 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子处理方法,该等离子处理装置具备有:腔室、导入部、基板电极、高频电源、低频电源和切换机构。导入部向腔室内导入处理气体。基板电极配置在腔室内,直接或间接载置有基板,具有交互配置的第1、第2电极元件群。高频电源输出40MHz以上的高频电压,用于使处理气体离子化,产生等离子体。低频电源输出20MHz以下的低频电压,用于从等离子体中引入离子。切换机构向所述第1、第2电极元件群交互施加所述低频电压。
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公开(公告)号:CN104835711A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510070660.1
申请日:2015-02-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12 , H01L21/265 , H01L29/06
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/1477 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/20214 , H01J2237/30483 , H01L21/265 , H01L21/68764 , H01L29/0615 , H01L29/0623 , H01L29/0638 , H01L29/0657 , H01L29/36 , H01L29/45 , H01L29/744 , H01L29/861
Abstract: 一种离子注入装置包括离子束导向单元、衬底支撑和控制器。该控制器被配置为在经过离子束导向单元的离子束和衬底支撑之间产生相对运动。离子束在衬底上的束轨迹包括圆或螺旋,衬底被装配在衬底支撑上。
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公开(公告)号:CN103080367A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041189.3
申请日:2011-05-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: H01J37/3476 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/54 , C23C14/542 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01J37/32733 , H01J37/34 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3473 , H01J2237/20214 , H01J2237/24578 , H01J2237/332
Abstract: 本发明提供溅射设备,在具有在平坦基板表面上形成具有均匀厚度的多层膜的功能的同时,该溅射设备能够确保在整个浮雕结构上,即使在形成有浮雕结构的基板上,也能够均匀地形成沉积在浮雕结构的壁面或侧面部上的膜。根据本发明一个实施例的溅射设备包括用于保持基板(21)的基板保持件(22)、布置在与基板保持件(22)的斜向相对的位置处的阴极单元(40)、检测保持在基板保持件上的基板的旋转位置的位置传感器(23)和根据所检测的旋转位置来调整基板的旋转速度的保持件旋转控制器(51)。保持件旋转控制器(51)控制旋转速度以使得在阴极单元(40)位于作为浮雕结构的处理面的纵向的第一方向侧的情况下的基板旋转速度小于在当阴极单元(40)位于第二方向侧的情况下的基板旋转速度,所述第二方向沿基板旋转方向与第一方向垂直。
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公开(公告)号:CN103003055A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201180028829.7
申请日:2011-06-08
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: B29C33/3842 , B23K15/08 , B29C33/38 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F7/2037 , G03F7/24 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/3174 , H01J2237/20214 , H01J2237/2025 , H01J2237/20271 , H01J2237/20285
Abstract: 本发明能够一边抑制成本增加一边抑制滚筒模具的向旋转轴方向的旋转偏摆引起描画图案变得不鲜明的情况。为了实现该目的,滚筒模具制作装置(1)包括:电子束照射装置(2);掩模(3),该掩模具有使电子束的一部分透过的开口部,以形成同时在抗蚀剂上进行描画的多束电子束;使滚筒模具(100)绕旋转轴旋转的旋转驱动装置(4);对滚筒模具(100)的向旋转轴(8)方向的旋转偏摆位移量进行检测位移量检测传感器(5);控制装置(6);以及致动器(7),该致动器(7)根据来自该控制装置(6)的控制信号使电子束的描画位置与滚筒模具(100)的向旋转轴(8)方向的位移随动,抑制滚筒模具(100)的向旋转轴(8)方向的旋转偏摆位移所导致的抗蚀剂的曝光位置的偏差。
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公开(公告)号:CN101996871B
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201010145124.0
申请日:2010-03-31
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/00 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法,首先,在晶圆上形成带状的离子束,其中,带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度,在此,长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后,沿着通过离子束的一扫描路径,以一移动速度移动晶圆中心,且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中,当晶圆通过离子束时,此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖,且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数,或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。
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公开(公告)号:CN1959416B
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN200610143243.6
申请日:2006-11-01
Applicant: FEI公司
CPC classification number: H01L21/68 , G01R31/2898 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/3056 , H01J2237/201 , H01J2237/202 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/20221 , H01J2237/20242 , H01L21/68764
Abstract: 一种粒子光学设备,包括:第一源,用来沿第一轴线产生第一照射束;第二源,用来沿第二轴线产生第二照射束,第二轴线在束交叉点与第一轴线相交,第一和第二轴线确定一个束平面。工作台组件,它将样品安置在束交叉点附近,此组件包括:可安装样品的样品台;一组致动器,它实现样品台沿以下方向的平动:基本平行于垂直束平面的X-轴线,平行于束平面的Y-轴线,和平行于束平面的Z-轴线,X-轴线,Y-轴线和Z-轴线相互垂直且通过该束交叉点。其特征是这组致动器安装成可实现:样品台围绕基本平行于Z-轴线的旋转轴线旋转,和样品台围绕基本垂直于Z-轴线的翻转轴线旋转,其中翻转轴线本身可以绕旋转轴线旋转。
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公开(公告)号:CN102027562A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200980117115.6
申请日:2009-03-16
Applicant: 谢菲尔德大学
CPC classification number: H01J37/20 , G21K7/00 , H01J37/26 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/20221 , H01J2237/20242 , H01J2237/20264 , H01J2237/20285 , H01J2237/20292 , H01J2237/2617 , H02N2/0095
Abstract: 一种适合于在透射电子显微镜中断层照相检验试样的试样夹持器组件(500),包括:主体部分(501),该主体部分(501)取细长构件的形式,所述细长构件安排成可移动地插入显微镜的支柱中;和操纵器部分,该操纵器部分具有第一轴线,操纵器部分包括:试样安装部分(510),该试样安装部分(510)配置成支承试样;试样平移组件(530),该试样平移组可操纵,以便相对于主体部分平移试样安装部分;和试样旋转组件(540),该试样旋转组件(540)结合到主体部分和试样平移组件(530)上,试样旋转组件可操纵,以便绕第一轴线相对于主体部分旋转试样平移组件。
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公开(公告)号:CN101510506B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200910004114.2
申请日:2009-02-12
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor: 日野雅泰
IPC: H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/20 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/20228 , H01J2237/20235 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供了一种离子注入方法及设备。使用离子束的束电流、到基板的剂量、以及被设置为1的基板的扫描次数的初始值,计算基板的扫描速度。如果扫描速度处于范围之内,则将当前的扫描次数和当前的扫描速度分别设置为实际的扫描次数和实际的扫描速度。如果扫描速度高于范围的上限,则中断计算处理。如果扫描速度低于范围的下限,则以1递增扫描次数以计算校正的扫描次数。通过使用校正的扫描次数等等计算校正的扫描速度。重复以上步骤直到校正的扫描速度处于容许的扫描速度范围之内。
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公开(公告)号:CN1672234A
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:CN03817753.6
申请日:2003-07-29
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor: J·费尔拉拉
IPC: H01J37/317 , H01J37/20
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/24528 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 一种离子束注入机,包括:用于产生沿着射束管线运动的离子束(14)的离子束源,以及注入腔,工件(24)设于注入腔中并与离子束相交,以便通过离子束来对工件表面进行离子注入。离子束注入机还包括与注入腔相连并支撑了工件的工件支撑结构(100)。该工件支撑结构包括与注入腔可旋转地相连的第一旋转件(110),其包括延伸穿过该旋转件并与注入腔壁中的孔对齐的孔(121)。该工件支撑结构还包括与所述第一旋转件可旋转地相连的第二旋转件(150),其具有与第一旋转件的旋转轴线偏离的旋转轴线,所述第二旋转件覆盖了第一旋转件中的孔。工件支撑结构还包括固定地连接在第二旋转件上的第三部件,该第三部件包括支撑了工件的可旋转的驱动件(200,204)。第一旋转件、第二旋转件以及第三旋转部件的可旋转驱动件可进行旋转,以使工件沿着移动路径运动,从而对注入面进行注入,其中,离子束在撞击到工件注入面之前运动穿过注入腔而运动的距离是恒定的。
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