一种气包装置及原子层沉积设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117512568A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311744333.0

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本申请涉及半导体制造工艺设备技术领域,公开一种气包装置,包括第一容气部;第二容气部,与所述第一容气部可拆卸连接,共同形成用于装载气体的气包容腔;所述第一容气部和所述第二容气部中的至少一个可改变自身用于装载气体的空间大小,以调节气包容腔的体积。本申请实现可拆卸式气包,能够帮助工艺工程师较为方便地观察气包内部的腐蚀情况。同时,实现可调节式气包,使得工艺工程师可以较为方便地调节气包的气体存储容量。本申请还公开一种原子层沉积设备。

    气箱风量补偿装置和半导体设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118676028A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410692804.6

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种气箱风量补偿装置和半导体设备。气箱风量补偿装置包括排风组件以及导风组件;排风组件包括位于气箱内的排风管,排风管的一端连接于气箱的一侧面,排风管开设有多个排气口,多个排气口沿排风管的轴线方向间隔设置,且多个排气口均用于朝向气箱的出气口方向导风;导风组件与排风管连通,且用于与外部气源连通,以将外部气源输送的气流传送至排风管。气箱风量补偿装置结构简单,安装方便,能够基于现有的气箱结构进行升级改造,从而能够在不改变现有气箱的结构设计的基础上进行补风,由此能够在降低结构成本的同时,增加气箱内的进风量。

    用于管道的缓存气包装置及原子层沉积设备

    公开(公告)号:CN117488278A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311752463.9

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本申请涉及半导体制造工艺设备技术领域,公开一种用于管道的缓存气包装置,包括:气包本体,两端设置有第一接口和第二接口;第一阀门,与所述第一接口通过第一管路固定连接;第二阀门,与所述第二接口通过第二管路固定连接,且所述第一管路和所述第二管路平行设置;在所述气包本体的内部形成有分别与所述一接口和第二接口连通的储气内腔,其中,所述储气内腔的形状与所述气包本体的形状根据多个预设形状以排列组合的方式形成。本申请还公开一种原子层沉积设备。

    分气装置及处理系统
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219508014U

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202223599182.8

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本申请涉及一种分气装置及处理系统,包括进气总管及进气口、至少两个出气支管及出气口,进气口形成于进气总管的一端,每个出气支管的一端形成出气口,另一端与进气总管远离进气口的一端连通,其中,全部出气支管的结构相同。如此,使得全部出气支管的沿程压力损失和局部压力损失相同,压损基本相同,全部出气口的出口压力相等,从而使得每个出气支管的出气口流出的气体流量均相当,无需额外的结构设置,只需要将气体通入进气口即可,结构及控制简单即可实现气体平均分流。

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