公开(公告)号：CN118899669A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410949520.0

申请日：2024-07-16

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 葛宏义 ,  贾柯柯 ,  蒋玉英 ,  张元 ,  卢雪晶 ,  蔡成欣 ,  杜笑笑 ,  雷艳芳 ,  补雨薇 ,  张玉洁 ,  周文慧 ,  王顺

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明提出了一种基于二氧化钒与光敏硅的双功能太赫兹超材料吸收器，该吸收器由若干横截面为正方形的单元结构周期性排列而成；每个单元结构自上而下由谐振层、介电层和二氧化钒薄膜层组成；谐振层由水平金属切割线、四个相同的二氧化钒圆环以及两根垂直的光敏硅结构组成；二氧化钒圆环包括一对完整的二氧化钒圆环和一对上下两端开口的二氧化钒圆环；完整的二氧化钒圆环设置在所述谐振层的主对角线，开口的二氧化钒圆环设置在所述谐振层的副对角线；水平金属切割线设置在谐振层的水平对称线位置；每根光敏硅结构穿设每个开口的二氧化钒圆环的开口，一端与水平金属切割线相接，另一端与正方形单元结构的边沿持平。

公开(公告)号：CN118329826A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410075355.0

申请日：2024-01-18

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 葛宏义 ,  孙振雨 ,  蒋玉英 ,  贾柯柯 ,  吴旭阳 ,  贾志远 ,  崔光远 ,  季晓迪 ,  郭春燕 ,  张元 ,  王雨欣 ,  张天智 ,  周俊超 ,  丁嬿文 ,  雷超 ,  程璨 ,  王顺 ,  叶金 ,  李斌

IPC: G01N21/3581 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了基于太赫兹成像技术的粮食籽粒品质检测方法，包括：S1：选择多种不同含水量的健康粮食籽粒，绘制各种粮食籽粒的太赫兹时域图像和太赫兹频域图像；S2：提取S1中太赫兹时域图像和太赫兹频域图像的特征信息，构建各种粮食籽粒的标准特征；S3：绘制待测样品的太赫兹时域图像和太赫兹频域图像，并与所述标准特征比对，确定所述待测样品的含水量以及是否健康。本发明还提供了检测装置。本发明能够判断待测样品的含水量和健康程度，检测速度快、精度高。

公开(公告)号：CN118763421A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410949525.3

申请日：2024-07-16

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 葛宏义 ,  贾柯柯 ,  蒋玉英 ,  张元 ,  卢雪晶 ,  蔡成欣 ,  杜笑笑 ,  雷艳芳 ,  补雨薇 ,  张玉洁 ,  周文慧 ,  王顺

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明提出了一种用于宽带吸收和极化转换的可调谐多功能超表面器件，该超表面器件由若干横截面为正方形的单元结构周期性排列而成，相邻单元结构间无间隙；每个单元结构自上而下由复合谐振层、介电层和金属薄膜衬底层组成；其中，复合谐振层由高度相同的二氧化钒正方形开口谐振环和光敏硅各向异性圆形开口谐振环组成；所述二氧化钒正方形开口谐振环的长度与单元结构的长度相等；所述二氧化钒正方形开口谐振环包括四个开口，每个开口开设在每条环边中心处；所述光敏硅各向异性圆形开口谐振环设置在所述二氧化钒正方形开口谐振环内部。本发明能够实现宽带吸收和宽带极化转换两种功能之间的切换，且同时实现吸收率和极化转换效率的动态调控。

公开(公告)号：CN119026454A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410949526.8

申请日：2024-07-16

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 葛宏义 ,  补雨薇 ,  季晓迪 ,  蒋玉英 ,  张元 ,  卢雪晶 ,  雷艳芳 ,  蔡成欣 ,  杜笑笑 ,  贾柯柯 ,  张玉洁 ,  孙庆成 ,  陈志坤 ,  王雨欣

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0475 ,  G06N3/048 ,  G06N3/084 ,  G06N3/094

Abstract: 本发明提出了一种基于改进条件生成式网络的多结构太赫兹超材料传感器反向设计方法：（1）构建太赫兹超材料传感器结构，并建立传感器结构参数以及对应吸收曲线的样本数据集；（2）构造并训练多结构太赫兹超材料传感器反向设计模型；在该生成对抗网络训练过程中，输入由吸收曲线组成的条件张量和随机生成的噪声向量级联，形成条件噪声传递给生成器，以生成足够的伪样本数据；鉴别器计算真实样本数据与伪样本数据之间的Wasserstein距离，实现太赫兹超材料传感器结构反向设计；（3）构造并训练正向神经网络模型，以验证生成对抗网络设计的太赫兹超材料传感器结构是否符合设计要求。本发明实现了太赫兹超材料传感器的高效反向设计。

公开(公告)号：CN117451662A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311201972.2

申请日：2023-09-18

Applicant: 河南工业大学

Inventor： 葛宏义 ,  贾志远 ,  蒋玉英 ,  卢雪晶 ,  吴旭阳 ,  孙振雨 ,  季晓迪 ,  崔光远 ,  张元 ,  贾柯柯 ,  补雨薇 ,  郭春燕 ,  赵一冰 ,  杨星星

IPC: G01N21/3586 ,  G01N21/41 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种基于衬底刻蚀的多频段太赫兹超材料传感器，包括衬底与谐振层，所述衬底包括底板层和刻蚀层，所述刻蚀层向上形成于所述底板层，所述谐振层向上沉积于所述刻蚀层，所述刻蚀层与所述谐振层形成图案化构造，其包括同中线依次设置的：长条形的第一部分、U型第二部分和U型第三部分，所述第二部分的开口朝向所述第一部分，所述第三部分的开口朝向所述第二部分。本发明还公开了一种基于衬底刻蚀的多频段太赫兹超材料传感器的使用方法。本发明可以在不同频率下表征相同样品，实现检测的多点匹配，从而对微量或痕量物质实现高灵敏检测。