基于金属分裂环的三波段高Q值太赫兹超材料吸收器

    公开(公告)号:CN117154420A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310933507.1

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属分裂环的三波段高Q值太赫兹超材料吸收器,该吸收器由若干超材料正方形周期单元呈周期性排列而成,相邻超材料正方形周期单元间无间隙;每个超材料正方形周期单元包括由上至下设置的金属谐振层、中间绝缘层和金属反射层;所述金属反射层,紧贴所述中间绝缘层的下表面设置,且截面大小与所述中间绝缘层的截面大小一致;所述金属谐振层,紧贴设置在所述中间绝缘层的上表面的中部,包括两个对称设置的金属分裂谐振器;所述金属分裂谐振器包括两个对称设置的开口方环,所述开口方环的开口位置为该开口方环的靠近该两个开口方环对称中心线的环线的中部,该两个开口方环的远离两个金属分裂谐振器的对称中心线的环线一体化连接。

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