公开(公告)号：CN104011883B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201280063612.4

申请日：2012-12-19

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 阿梅利耶·迪赛涅 ,  菲利普·吉莱 ,  弗朗索瓦·马丁

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L21/02 ,  H01L33/40 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02642 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及制造用于形成光电结构(10)的至少一个半导体微或纳米线的方法。所述方法包括如此步骤，提供半导体衬底(100)、在所述衬底(100)上形成晶态的所谓缓冲层(110)，所述缓冲层(110)在部分厚度上具有主要由MgxNy形式的氮化镁构成的第一区(110)，所述方法还包括在所述缓冲层上形成至少一个半导体微或纳米线(150)的步骤。本发明还涉及包括微或纳米线(150)的光电结构(10)，以及能够制造所述结构(10)的方法。

公开(公告)号：CN104011883A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280063612.4

申请日：2012-12-19

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 阿梅利耶·迪赛涅 ,  菲利普·吉莱 ,  弗朗索瓦·马丁

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L21/02 ,  H01L33/40 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02642 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及制造用于形成光电结构(10)的至少一个半导体微或纳米线的方法。所述方法包括如此步骤，提供半导体衬底(100)、在所述衬底(100)上形成晶态的所谓缓冲层(110)，所述缓冲层(110)在部分厚度上具有主要由MgxNy形式的氮化镁构成的第一区(110)，所述方法还包括在所述缓冲层上形成至少一个半导体微或纳米线(150)的步骤。本发明还涉及包括微或纳米线(150)的光电结构(10)，以及能够制造所述结构(10)的方法。