-
公开(公告)号：CN113433617A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110566627.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种平面光波导及其制备方法，该平面光波导包括由下至上依次层叠的基板、纳米热压印胶层、第一包层、波导芯层和第二包层；所述纳米热压印胶层的表面形成有多个凹槽；所述第一包层形成于所述凹槽的侧壁、底壁和所述纳米热压印胶层的上表面；所述波导芯层填充所述凹槽，并且与所述纳米热压印胶层之间由所述第一包层间隔开；所述第二包层作为所述平面光波导的外表面覆盖所述第一包层和所述波导芯层。本发明中的平面光波导通过在基板上设置纳米热压印胶层，并在纳米热压印胶层上形成波导芯层，能够避免使用刻蚀和离子扩散等传统工艺，降低工艺成本，减少污染，进一步推进PLC光器件产业的发展。
-
公开(公告)号：CN112725886A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011511534.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭，该碳化硅晶体生长装置包括石墨坩埚和加热装置，石墨坩埚包括呈上大下小圆台状的坩埚本体，所述坩埚本体包括具有开口的容纳腔；所述加热装置可上下移动的设置在所述坩埚本体外部。该碳化硅晶体生长装置采用外形呈上大下小圆台状的石墨坩埚，相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场，有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭，同时更加节约碳化硅晶体生长原料，而且加热装置可以相对于坩埚上下移动，能够进一步有利于晶锭长度的增加。
-
公开(公告)号：CN211757266U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201922207328.1
申请日：2019-12-10
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种碳化硅晶片清洗装置，该装置包括底座、把手、至少一个支撑杆和多个围栏；所述把手通过所述支撑杆连接在所述底座上；所述多个围栏分别连接在所述底座上，并且所述多个围栏与所述支撑杆以及所述底座合围形成容纳空间。该装置可以高效稳定的对装有晶片的多个卡塞盒进行清洗和转运，也可以用于临时存放卡塞盒，非常方便工人操作使用，还能够防止卡塞盒跌落造成的损失，有效的保证了生产效率和产品质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212332677U
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201921914353.7
申请日：2019-11-06
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅晶片抛光工艺转运用装置，包括推车框架、用于盛放陶瓷盘的多个陶瓷盘架、万向滚轮和直行滚轮，万向滚轮和直行滚轮分别转动连接于推车框架的底部两侧，多个陶瓷盘架沿推车框架的高度依次安装于推车框架的内部，多个陶瓷盘架与水平面成成夹角θ倾斜设置，夹角θ的角度为10‑20度。本实用新型的碳化硅晶片抛光工艺转运用装置，可以高效稳定的对各工序陶瓷盘进行转运，也可以用于临时存放陶瓷盘，操作方便，能有效保证生产效率和产品质量。
-
公开(公告)号：CN210974929U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201921527970.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长用坩埚包括坩埚本体和石墨棒，所述坩埚本体具有容纳腔，所述容纳腔具有用于容纳碳化硅晶体生长原料的生长原料区；所述石墨棒设置在所述容纳腔内，并且所述石墨棒的至少部分位于所述生长原料区。石墨棒的设置能够避免坩埚本体的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，提高生长原料的利用率，而且石墨棒还能够增强感应加热的热量分布，使得坩埚本体中的生长原料温度场分布更加均匀，进而有利于晶体的生长，从而解决了现有技术中碳化硅晶体生长原料的利用率低的技术问题。
-
公开(公告)号：CN211700219U
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201922088606.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/673 , G06K7/10
Abstract: 本实用新型涉及一种用于碳化硅晶片加工的可智能辨识载片盘，包括板状载片盘主体和可智能识别装置，可智能识别装置设置于板状载片盘主体的载片面的中心位置。本实用新型的用于碳化硅晶片加工的可智能辨识载片盘，能够高效地对每一盘的晶片进行自动分类，提高碳化硅晶片加工生产的自动化程度。
-
公开(公告)号：CN210984704U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201922323715.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构，碳化硅晶片的退火用装置包括C形装置底座和多个圆弧状凸起墩，C形装置底座设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面，多个圆弧状凸起墩等间距设置于C形上表面的外缘端，多个圆弧状凸起墩包括第一圆弧侧面和第二圆弧侧面，第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与内圆弧侧面和外圆弧侧面同心设置；退火用堆叠结构包括上、下堆叠的上述退火用装置，每个退火用装置的C形装置底座的开口位置相对应。本实用新型的退火用装置和退火用堆叠结构，便于晶片取放，同时能减少晶片与装置的接触面积，避免晶片的接触污染，并通过堆叠实现多张碳化硅晶片的同时退火，提高晶片的退火效率。
-
公开(公告)号：CN210636097U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921474561.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及车间排气领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长车间用排气装置，所述碳化硅晶体生长车间包括用于支撑房顶的纵横交错的房梁，房梁与房顶形成多个凹面区域，包括于所述碳化硅晶体生长车间外设置的抽风机构以及于所述碳化硅晶体生长车间内设置的排气管，其中，所述排气管的一端位于所述碳化硅晶体生长车间内，所述抽风机构与所述排气管的另一端连接，用于将所述排气管内的气体排出所述碳化硅晶体生长车间外；所述排气管与所述凹面区域连通，所述排气管上间隔开设有若干个抽气孔。本实用新型通过与所述凹面区域连通的排气管，使得房顶各个角落的气体被排出所述碳化硅晶体生长车间外，避免了大量的氢气聚集造成的安全隐患。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.05 seconds)
