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公开(公告)号：CN111621851B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010322798.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶体的生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚组件、籽晶固定器、气体系统和温控系统，所述坩埚组件包括坩埚体、石墨隔板和坩埚盖，所述石墨隔板设置在坩埚体上部，并且石墨隔板上具有通气孔结构，所述坩埚盖盖设在坩埚体上以构成坩埚内部容纳腔；所述籽晶固定器设置在坩埚盖内侧，且位于石墨隔板上方；所述气体系统包括进气管路和排气管路；所述进气管路与设置在坩埚体上的进气口连接，所述进气口位于石墨隔板下方；所述排气管路与设置在坩埚盖上的排气口连接；所述温控系统用于控制对所述坩埚组件加热。通过石墨隔板对向上升华的气相物进行整流，降低生产成本的同时提升晶体的合格率及品质。
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公开(公告)号：CN110712071A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910796153.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法及返抛装置，该方法包括：根据返抛晶片的硬度、坑点、局部厚度差、平整度、背面所需粗糙度和缺陷类型的对晶片进行分组；确定每组返抛晶片使用的晶片载盘材料、抛光垫材料、机台盘材料、机台盘形状和抛光液材料，组装返抛设备；将每组返抛晶片依次按照中心厚度的数值分成若干处理批次；将每组反抛晶片按批次在对应定好的返抛设备上返抛至完成；返抛装置包括机台盘、抛光垫和晶片载盘，抛光垫设置于机台盘的上表面，晶片载盘位于机台盘的上方。本发明的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛方法及返抛装置，能达到晶片背面粗糙度均匀性的要求，并能提升晶片的返修良率，经检测返修良率可达95％以上。
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公开(公告)号：CN110331437A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910626447.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料长晶领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：顶部开口的坩埚，放置碳化硅原料；基座，一侧表面为单晶生长面；翻转板，翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处；第一驱动机构，使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本发明实施例通过设置供料机构，将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整，调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板，籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料，这样可以避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面，造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题，增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。
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公开(公告)号：CN109461798A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811390744.3
申请日：2018-11-21
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明公布了一种用于蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理方法，在实施方案中，提供了一种蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理流程，包括在纳米级蓝宝石抛光面上贴上一层保护胶带，并以高压喷砂装置处理背面缺陷，然后经退火前清洗并进行高温退火，退火后之蓝宝石衬底片再次进行化学机械抛光，最终形成背面缺陷再生之纳米级蓝宝石抛光片，这种再生处理工艺极大地降低蓝宝石衬底片不良比例，提高了蓝宝石衬底片制造的产出效率。
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公开(公告)号：CN108807147A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810637647.3
申请日：2018-06-20
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02104 , H01L21/02112 , H01L21/02175 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种新型多层复合图形化蓝宝石衬底的制备方法，其方法为，利用光学镀膜技术在一片光洁的蓝宝石衬底晶片上依次沉积一定厚度的氧化硅(SiO2)薄膜、氧化锆(ZrO2)薄膜和氧化钛(TiO2)薄膜，接着在其上均匀涂布一层紫外正向光刻胶，然后进行步进式曝光和显影工序；再进行ICP干法蚀刻，刻蚀完成后进行清洗，最后在其上沉积一层氮化铝(AlN)薄膜，得到多层复合图形化蓝宝石衬底晶片。本发明首先通过三种折射率依次递减薄膜材料的组合，增加了出光反射次数，使全反射现象发生的几率最小，从而可有效提高Mini‑LED的垂直光通量。相对使用传统图形化蓝宝石衬底的LED芯片亮度提高约10％以上，其次通过沉积氮化铝薄膜，AlN薄膜能极大地降低了外延生长中的翘曲，使氮化镓可以在复合薄膜上生长，进一步降低氮化镓的缺陷密度，LED芯片的输出功率可提高2％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113433617A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110566627.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种平面光波导及其制备方法，该平面光波导包括由下至上依次层叠的基板、纳米热压印胶层、第一包层、波导芯层和第二包层；所述纳米热压印胶层的表面形成有多个凹槽；所述第一包层形成于所述凹槽的侧壁、底壁和所述纳米热压印胶层的上表面；所述波导芯层填充所述凹槽，并且与所述纳米热压印胶层之间由所述第一包层间隔开；所述第二包层作为所述平面光波导的外表面覆盖所述第一包层和所述波导芯层。本发明中的平面光波导通过在基板上设置纳米热压印胶层，并在纳米热压印胶层上形成波导芯层，能够避免使用刻蚀和离子扩散等传统工艺，降低工艺成本，减少污染，进一步推进PLC光器件产业的发展。
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公开(公告)号：CN110660696B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910796178.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种蓝宝石衬底的制造方法和滴蜡设备，该制造方法在晶片退火之后直接进行甩蜡烘烤、滴蜡测量和滴蜡抛光步骤。滴蜡抛光步骤包括：在烘烤后的蜡膜的表面晶片的正中心一次性滴下预先测定的蜡料；将滴蜡后的晶片的蜡膜面与带有热度的陶瓷盘平面相贴，使蜡滴被挤压形成圆形蜡饼，并相应地在晶片的与蜡膜面相对的背面顶起一与蜡饼形状一致的圆台；对产生圆台的晶片的背面进行抛光，使晶片的背面中间凹陷且圆台的外缘与晶背面的其余部分平滑过渡，并成为中间凹陷底部的圆面。滴蜡设备包括吸盘、点胶阀、储蜡桶、导蜡管和数显调压阀。本发明的蓝宝石衬底的制造方法和滴蜡设备，省去了晶片弯曲度分选工作，并能大幅提升衬底的产品合格率。
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公开(公告)号：CN111816549A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010485729.8
申请日：2020-06-01
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法，该方法包括以下步骤：高温处理：通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层；酸化处理：将经过高温处理后的所述碳化硅晶片进行酸化处理，以去除所述碳化硅晶片表面的氧化层；钝化处理：将经过酸化处理后的所述碳化硅晶片进行钝化处理，以在所述碳化硅表面形成钝化层。该清洗方法操作简单环保，能快速有效地清除碳化硅晶片表面的污染物，并在晶片表面氢钝化，提高了碳化硅晶片后续使用效率。
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公开(公告)号：CN111621851A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010322798.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶体的生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚组件、籽晶固定器、气体系统和温控系统，所述坩埚组件包括坩埚体、石墨隔板和坩埚盖，所述石墨隔板设置在坩埚体上部，并且石墨隔板上具有通气孔结构，所述坩埚盖盖设在坩埚体上以构成坩埚内部容纳腔；所述籽晶固定器设置在坩埚盖内侧，且位于石墨隔板上方；所述气体系统包括进气管路和排气管路；所述进气管路与设置在坩埚体上的进气口连接，所述进气口位于石墨隔板下方；所述排气管路与设置在坩埚盖上的排气口连接；所述温控系统用于控制对所述坩埚组件加热。通过石墨隔板对向上升华的气相物进行整流，降低生产成本的同时提升晶体的合格率及品质。
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公开(公告)号：CN109571199A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811345946.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝宝石衬底切割片再生加工方法，包括万向底座平台、研磨砂轮、X光绕射仪器。通过该设计方法，将衬底切割片单面吸附于平台后，以X光折射仪器配合万象底座平台调整方位后，以砂轮进行单面研磨。确保衬底切割片再生后，将厚度差异、表面晶体轴向偏轴修正回合格规格，完成衬底切割片的再生。
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