一种基于多步扩散方法的高矫顽力混合稀土永磁材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117219431A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311381495.2

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于多步扩散方法的高矫顽力混合稀土永磁材料及其制备方法,包括以下步骤:(1)采用熔炼、甩带、氢破、气流磨和烧结技术制备烧结态混合稀土永磁材料;(2)制备两类扩散剂粉末,第一类扩散剂为轻稀土或其合金,第二类扩散剂为重稀土或其合金;(3)选用第一类扩散剂进行真空扩散处理;(4)选用第二类扩散剂进行真空扩散处理;(5)继续进行低温回火处理,最终得到高矫顽力混合稀土永磁材料。本发明针对混合稀土永磁材料低矫顽力难题,制备得到高矫顽力混合稀土永磁材料,旨在实现混合稀土永磁材料的商业应用。

    一种基于白云鄂博共伴生混合稀土的高磁能积稀土永磁材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117219388A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311381496.7

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于白云鄂博共伴生混合稀土的高磁能积稀土永磁材料及其制备方法,属于稀土永磁材料制备领域。本发明的高磁能积稀土永磁材料成分为[A1‑a(Ce1‑xMMx)a]bFebalRcBdGaeAlf,A为稀土元素Nd或Pr中的一种或两种,Ce为稀土元素铈,MM为白云鄂博共伴生混合稀土,Fe为铁元素,R为合金元素Co、Ni、Cu、Mo、Nb、Si、Ti、V或Zr中的一种或多种,B为硼元素,Ga为镓元素,Al为铝元素,以质量百分数计,0.85≤a≤1,0.5≤x≤0.95,30≤b≤35,0.2≤c≤3,0.80≤d≤1,0.2≤e≤2,0.1≤f≤2,0.4≤e+f≤2.5。所述高磁能积稀土永磁材料制备方法为:将磁粉通过烧结工艺制备成磁体,再进行热处理。本发明通过对硬磁主相进行成分改性设计,以及优化晶界相的组成和分布,解决基于白云鄂博共伴生混合稀土永磁材料低磁能积问题。

    镧铁基复合吸波材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117659943A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311603011.4

    申请日:2023-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种镧铁基复合吸波材料及其制备方法,该镧铁基复合吸波材料的化学组成为(LaFeO3)x+(TyFez)(1‑x),其中,T选自Co、Ni和Mn中的一种或多种;x为LaFeO3的摩尔系数,0.5≤x≤0.95;y为T的摩尔系数,1≤y≤7;z为Fe的摩尔系数,3≤z≤9。本发明的镧铁基复合吸波材料可以实现C波段(4‑8GHz)至X波段(8‑12GHz)的可调吸波性能,并且在C波段和X波段的吸收峰强度均较高,有效吸收宽度较宽。

    纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液

    公开(公告)号:CN114940886B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202210470448.4

    申请日:2022-04-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液,纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3,该磨粒按以下制备方法制得:将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液;将溶液转移至坩埚内,将坩埚置于马弗炉内,将马弗炉按10~20℃/min升温速率加热至预定温度,保温,冷却,获得球形α‑Al2O3,碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成:纳米氧化铝磨粒1~50%、表面活性剂0.05%~5%、氧化剂0.2~10%、pH调节剂0.02%~2%和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小,有较好的表面精度,提高抛光效率和精度,氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。

    一种锰锌功率铁氧体的六段气氛控制方法

    公开(公告)号:CN108863338B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201810947763.5

    申请日:2018-08-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种锰锌功率铁氧体的六段气氛控制方法,其主要内容是:在二次配料时,添加适量的掺杂元素;将烧结过程分为6段保温保压平台。首先在1150℃‑1250℃的区间内保温2‑5小时,控制0.25%‑1%的低氧气氛;随后在1080℃‑1120℃之间保温1‑2小时,控制2.5%‑4%的高氧气氛;然后分别为990℃‑1020℃,900℃‑950℃,750‑800℃,保温时间30‑60min,并保持平衡气氛;最后在500℃‑600℃,保温时间为1‑2小时。本发明的创新性在于通过六次保温和控制氧分压,能够有效阻止Fe2+的迁移和获得高电阻率晶界,有效降低涡流损耗,同时降低了材料的内应力,从而得到优秀的高频交流磁性能。

    一种调控稀磁半导体材料室温磁性的方法

    公开(公告)号:CN105470116B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201510936786.2

    申请日:2015-12-15

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 吴琛 丁文洋 严密

    Abstract: 本发明公开了一种调控TiO2基稀磁半导体材料室温磁性的方法,该发明属于磁性半导体材料领域。本方法采用具有不同晶格常数的衬底或缓冲层,诱导TiO2基薄膜材料产生晶格畸变。通过控制薄膜的晶格畸变,达到调控内部缺陷磁性耦合作用的强度和材料室温磁性的目的。选用纯的TiO2,或者非磁性离子Al3+、Mg2+、Zn2+和/或磁性离子Co2+、Ni2+、Fe3+中的一种或几种掺杂的TiO2作为靶材,用磁控溅射法或脉冲激光沉积法在具有不同晶格常数的衬底或缓冲层上沉积薄膜,使外延生长的TiO2基薄膜材料的晶格产生压缩或者膨胀,以增强或减小室温磁性。衬底或缓冲层为LaAlO3、SrTiO3、MgO、YSZ或Si中的一种。通过该方法制备得到的稀磁半导体薄膜具有明显的室温磁性和较高的居里温度,并且可以通过改变衬底材料或缓冲层对其磁性进行调控,具有重要的应用价值。

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