一种基于多步扩散方法的高矫顽力混合稀土永磁材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117219431A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311381495.2

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于多步扩散方法的高矫顽力混合稀土永磁材料及其制备方法,包括以下步骤:(1)采用熔炼、甩带、氢破、气流磨和烧结技术制备烧结态混合稀土永磁材料;(2)制备两类扩散剂粉末,第一类扩散剂为轻稀土或其合金,第二类扩散剂为重稀土或其合金;(3)选用第一类扩散剂进行真空扩散处理;(4)选用第二类扩散剂进行真空扩散处理;(5)继续进行低温回火处理,最终得到高矫顽力混合稀土永磁材料。本发明针对混合稀土永磁材料低矫顽力难题,制备得到高矫顽力混合稀土永磁材料,旨在实现混合稀土永磁材料的商业应用。

    一种钕铁硼稀土永磁材料的高通量晶界扩散方法

    公开(公告)号:CN115346788A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210932285.7

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明公开一种钕铁硼稀土永磁材料的高通量晶界扩散方法,其主要步骤包括:1)对钕铁硼磁体和扩散源进行表面处理,然后将钕铁硼磁体和扩散源以交错层垛的方式放入放电等离子装置中进行放电等离子低温压制烧结,使磁体和扩散源紧密结合;2)将试样密封于真空石英玻璃管中,采用高频感应加热对试样进行扩散热处理,一次制备出扩散温度连续变化的晶界扩散磁体;3)将扩散后的磁体置于真空退火炉中,进行低温退火处理;4)高通量测试磁体不同温度段扩散区域的成分分布、微结构和磁性能。本发明提供了一种低成本、高效、快捷的高通量晶界扩散方法,大大缩短了实验周期,实现了不同成分钕铁硼磁体晶界扩散工艺的高效设计。

    一种高性能SmFe基永磁薄膜材料的高通量制备方法

    公开(公告)号:CN115491644B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202210925713.3

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明公开一种高性能SmFe基永磁薄膜材料的高通量制备方法。其中薄膜材料包括衬底和衬底上生长的SmFe基稀土永磁薄膜。其中主要制备步骤包括:1)对衬底进行表面处理后,沉积一定厚度的(SmaRE1‑a)2Fe17合金薄膜;2)对合金薄膜进行N离子注入,获得N含量在不同区域连续变化的梯度薄膜;3)将梯度薄膜进行真空热处理,获得(SmaRE1‑a)2Fe17Nx薄膜;4)测试薄膜不同区域的成分及磁性能。采用离子注入机对SmFe基稀土合金薄膜进行N离子注入,克服了传统方法中氮化效率低、氮化程度难以控制的难题;经过真空热处理可高通量制备(SmaRE1‑a)2Fe17Nx梯度薄膜;结合高通量测试表征,可快速确定薄膜的最佳N含量,大幅节约实验成本;最终可获得性能可控、一致性高的SmFe基永磁薄膜材料。

    一种高电阻率NdFeB永磁材料及其高通量制备方法

    公开(公告)号:CN119400536A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411567863.7

    申请日:2024-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种高电阻率NdFeB永磁材料及其高通量制备方法。具体包括:制备合适尺寸的金属包套,将NdFeB、NdDyTbFeB金属条和稀土合金扩散源条按金属条和扩散源条相互交错的排列方法装配入金属包套的槽内,进行真空电子束焊接和热等静压处理,得到的多元节经切片封管后进行热处理,最后筛选得到高电阻率NdFeB永磁材料。本发明基于扩散多元节的高通量制备方法,可在短时间内获得大量的平行样品,结合高通量测试表征方法,快速筛选合适的扩散源与热处理温度,高效研发高电阻率NdFeB永磁材料。

    一种高性能SmFe基永磁薄膜材料的高通量制备方法

    公开(公告)号:CN115491644A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210925713.3

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明公开一种高性能SmFe基永磁薄膜材料的高通量制备方法。其中薄膜材料包括衬底和衬底上生长的SmFe基稀土永磁薄膜。其中主要制备步骤包括:1)对衬底进行表面处理后,沉积一定厚度的(SmaRE1‑a)2Fe17合金薄膜;2)对合金薄膜进行N离子注入,获得N含量在不同区域连续变化的梯度薄膜;3)将梯度薄膜进行真空热处理,获得(SmaRE1‑a)2Fe17Nx薄膜;4)测试薄膜不同区域的成分及磁性能。采用离子注入机对SmFe基稀土合金薄膜进行N离子注入,克服了传统方法中氮化效率低、氮化程度难以控制的难题;经过真空热处理可高通量制备(SmaRE1‑a)2Fe17Nx梯度薄膜;结合高通量测试表征,可快速确定薄膜的最佳N含量,大幅节约实验成本;最终可获得性能可控、一致性高的SmFe基永磁薄膜材料。

    用于钕铁硼磁体的扩散源及其制备方法和磁体的处理方法

    公开(公告)号:CN119381151A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411521046.8

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种用于钕铁硼磁体的扩散源及其制备方法和磁体的处理方法。本发明的扩散源包括铜或铜合金箔和附着物,所述铜或铜合金箔的上表面和下表面分别附着有所述附着物,所述附着物包括稀土颗粒、非稀土氧化物和非稀土金属或合金;所述稀土颗粒中的稀土元素选自铽、镝、镨、钕中的一种或多种,且含有铽、镝中的至少一种;所述非稀土氧化物选自氧化铝、氧化镁中的一种或多种;所述非稀土金属或合金中的非稀土元素选自铜、铝、镁、铁、锆、铌、镓、锌、钴、硅中的一种或多种,且所述非稀土金属或合金中含有铜、铝中的至少一种。该扩散源能够有效地提高钕铁硼磁体的矫顽力。

    磁控溅射铁磁性靶材的装置

    公开(公告)号:CN111996505A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010661505.8

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铁磁性靶材的装置,包括:阴极基座、周边永磁体、中心永磁体,周边永磁体、中心永磁体位于阴极基座的下部,周边永磁体位于中心永磁体外侧,还包括:耐高温绝缘保护罩、中心永磁柱、环状磁性靶材,耐高温绝缘保护罩、中心永磁柱、环状磁性靶材位于阴极基座上部,中心永磁柱位于耐高温绝缘保护罩内部,耐高温绝缘保护罩位于环状磁性靶材内侧。本发明改变了现有技术的磁路,使得磁场分布均匀合理,解决了由于铁磁性靶材高磁导率引起的表面磁场强度较小而无法正常磁控溅射的问题。

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