公开(公告)号：CN110112254A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910327753.6

申请日：2019-04-23

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 许述达 ,  李伟民 ,  罗海林 ,  易成汉 ,  冯叶 ,  李文杰 ,  黄建平 ,  庞硕 ,  杨春雷

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/078

Abstract: 本发明公开了二端子叠层太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括衬底及依次叠层设于衬底上的CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及金属栅电极，其中，衬底为Si太阳能电池，自Si太阳能电池的金属背电极引出第一端子，自金属栅电极引出第二端子，Si太阳能电池的吸收层的禁带宽度为1.0～1.1eV，CIGS吸收层的禁带宽度大于1.5eV。所述方法包括：以Si太阳能电池为衬底，通过三步共蒸发法在Si太阳能电池的透明导电层上制备CIGS吸收层；在CIGS吸收层上制备缓冲层；在缓冲层上制备窗口层；在窗口层上制备金属栅电极。本发明的二端子叠层太阳能电池及其制备方法旨在于提高叠层太阳能电池效率，并降低生产难度与成本。

公开(公告)号：CN112281119A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011039226.4

申请日：2020-09-28

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 汪智伟 ,  周长著 ,  冯叶 ,  黄建平 ,  庞硕 ,  黎年赐 ,  杨春雷

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种铜镉锌锡硒光吸收层的制备方法，其包括：提供基底置于共蒸镀腔室中，将基底加热至预定温度；在第一时间段内，使Cu、Zn、Cd、Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基底上；在第二时间段内，使Zn、Cd、Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基底上；在第三时间段内，使Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基底上；在第四时间段内，使Se蒸发而蒸镀到基底上，冷却后获得蒸镀材料层；将蒸镀材料层进行退火处理，获得铜镉锌锡硒光吸收层。本发明还提供了如上制备方法获得的铜镉锌锡硒光吸收层以及包含该铜镉锌锡硒光吸收层的短波红外探测器。本发明可以使得铜镉锌锡硒光吸收层的晶粒更大而晶界减少，其应用于短波红外探测器中可以提高探测器的效率。

公开(公告)号：CN111430483A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010205706.7

申请日：2020-03-23

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 黎年赐 ,  邵龑 ,  庞硕 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  冯叶 ,  杨春雷

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器，包括：基底；设置于所述基底上的底电极；设置于所述底电极上的吸收层；所述吸收层采用基于Cu2-II-IV-VI4族光电薄膜吸收材料Cu2CdaZn1-aSnSe4制成，0≤a≤1；设置于所述吸收层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的窗口层；其中，在所述缓冲层与所述窗口层之间还设置有氧化物阻挡层。本发明还公开了一种光电探测器的制作方法。本发明也公开了一种包括上述光电探测器或者采用上述制作方法制得的光电探测器的光电探测系统。本发明通过采用基于Cu2-II-IV-VI4族光电薄膜吸收材料Cu2CdaZn1-aSnSe4作为光电探测器的吸收层的材料，且在缓冲层与窗口层之间设置氧化物阻挡层，可以阻挡由于漏电通道引起的载流子，降低探测器的暗电流，提高探测器的光电探测率。

公开(公告)号：CN111430477A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010205518.4

申请日：2020-03-23

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 刘宇 ,  邵龑 ,  冯叶 ,  庞硕 ,  谢芳梅 ,  王恒 ,  杨春雷

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电突触晶体管，包括：基底；栅极，设置于基底之上；栅介质层，设置于栅极之上；源电极、漏电极分别设置于栅极的两侧，且源电极、漏电极分别在栅极的一侧上沿着栅极的侧壁延伸至基底之上；沟道层，设置于栅介质层之上，且沟道层设置于源电极和漏电极之间；栅介质层设置于源电极和漏电极之间，其中，光电突触晶体管的最大刺激波长大于600nm。本发明也公开了一种光电突触晶体管的制作方法。本发明还公开了一种包括上述光电突触晶体管或采用上述制作方法制得的光电突触晶体管的神经处理系统。本发明的光电突触晶体管相对于现有技术，最大刺激波长可大于600nm以上，适用的光探测范围较宽，且能耗低，有利于光电突触晶体管的推广和发展。

公开(公告)号：CN111628017A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010549980.6

申请日：2020-06-16

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 黎年赐 ,  邵龑 ,  庞硕 ,  何可 ,  汪智伟 ,  周长著 ,  冯叶 ,  杨春雷

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法，普通的铟镓锌氧化物对可见光基本没有响应，本发明提供了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层，由于掺杂氢的铟镓锌氧化物的带隙小于或等于可见光的光子能量，因此能够对可见光产生良好响应。将这种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层应用于光电晶体管中，可以可满足可见光探测领域对铟镓锌氧化物型光电晶体管的实际需求，这类光电晶体管将在显示与成像、光通信、遥感、生物医疗等领域发挥重要作用。

公开(公告)号：CN110416343A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910621771.5

申请日：2019-07-10

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 庞硕 ,  黄建平 ,  李威威 ,  冯叶 ,  杨春雷

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种功能器件及其制作方法，该功能器件包括依次叠层设置的第一电极、阻挡层、功能层和第二电极，其中，阻挡层用于防止所述第一电极被功能层硒化，功能层具有硒元素。该功能器件的制作方法是利用氧源和惰性气体对金属层进行脉冲氧化工艺处理，被氧化的金属层作为阻挡层用来防止未被氧化的金属层在后续退火处理中被硒化。本发明提供的功能器件不存在第一电极被硒化的问题，且功能器件的制作方法简单，可在现有工业生产的基础上很好地进行应用。

公开(公告)号：CN110224037A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910477710.6

申请日：2019-06-03

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 黄建平 ,  庞硕 ,  许述达 ,  王恒 ,  李伟民 ,  冯叶 ,  杨春雷

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池，包括依次设置在衬底上的第一电极层、铜锌锡硫薄膜吸收层、缓冲层、窗口层和第二电极层，所述缓冲层为锌镉硫薄膜。其制备工艺中，通过应用化学水浴沉积工艺结合激光局部加热制备获得锌镉硫薄膜缓冲层。本发明的铜锌锡硫薄膜太阳能电池中，缓冲层采用ZnCdS薄膜，一方面可以提升CZTS薄膜太阳能电池的效率并且提高电池的短路电流，另一方面能够减少Cd的用量从而减低对环境的污染。