用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110071027A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201910333271.1

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法。该制备方法包括:在基底上形成金属电极层;在所述金属电极层上形成铜基底层;在所述铜基底层上形成硫化亚铜纳米线层。该场致发射器件包括:基底;金属电极层,设置于所述基底上;铜基底层,设置于所述金属电极层上;硫化亚铜纳米线层,设置于所述铜基底层上。该制备方法简单易于控制,条件温和,适用于具有大面积的场致发射电极阵列的制备,且制成的器件具有体积小、工作寿命长、场发射性能优异等优点。

    红外LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110137325B

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN201910298839.0

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明提供了一种红外LED器件及其制备方法,所述红外LED器件包括从下至上依次堆叠设置的反射层、第一红外光外延层、隧穿结、第二红外光外延层、超晶格电子阻挡层及粗化窗口层。整个红外LED器件除去了衬底,实现了器件的小型化;通过第一红外光外延层和第二红外光外延层形成两个发射中心并结合超晶格电子阻挡层提高了电子‑空穴的复合率,从而提升了红外LED器件的发光效率;通过反射层并结合粗化窗口层减少了红外光的吸收以及全反射现象,从而在实现小型化的同时提升了出光效率、减少了功率损耗、提高了可靠性。

    功能器件及其制作方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110416343A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910621771.5

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种功能器件及其制作方法,该功能器件包括依次叠层设置的第一电极、阻挡层、功能层和第二电极,其中,阻挡层用于防止所述第一电极被功能层硒化,功能层具有硒元素。该功能器件的制作方法是利用氧源和惰性气体对金属层进行脉冲氧化工艺处理,被氧化的金属层作为阻挡层用来防止未被氧化的金属层在后续退火处理中被硒化。本发明提供的功能器件不存在第一电极被硒化的问题,且功能器件的制作方法简单,可在现有工业生产的基础上很好地进行应用。

    红外LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110071210A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201910300225.1

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明提供了一种红外LED器件及其制备方法,所述红外LED器件包括从下至上依次堆叠设置的导热基板、反射层及LED芯片层;所述LED芯片层包括红外层和光子晶体层,所述红外层位于所述光子晶体层与所述反射层之间;所述光子晶体层具有光子晶体阵列,所述光子晶体阵列包括阵列排布的多个光子晶体。本发明提出的红外LED器件的LED芯片层包括红外层和光子晶体层,所述光子晶体层具有光子晶体阵列,所述光子晶体阵列包括阵列排布的多个光子晶体,整个红外LED器件除去了衬底,从而实现了器件的小型化;通过所述导热基板能够大大提升整个器件的散热效率,通过所述多个光子晶体能够大大提升整个器件的出光效率,从而在实现小型化的同时提升了出光效率。

    用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110071027B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN201910333271.1

    申请日:2019-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于发射X射线的场致发射器件及其制备方法。该制备方法包括:在基底上形成金属电极层;在所述金属电极层上形成铜基底层;在所述铜基底层上形成硫化亚铜纳米线层。该场致发射器件包括:基底;金属电极层,设置于所述基底上;铜基底层,设置于所述金属电极层上;硫化亚铜纳米线层,设置于所述铜基底层上。该制备方法简单易于控制,条件温和,适用于具有大面积的场致发射电极阵列的制备,且制成的器件具有体积小、工作寿命长、场发射性能优异等优点。

    表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111896523A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010884985.4

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明提供了一种表面增强拉曼散射基底,其包括:支撑衬底,呈直立状地生长于所述支撑衬底上的半导体纳米片阵列;以及,沉积于所述半导体纳米片阵列上的贵金属层。本发明还提供了如上所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法及其在检测待测物的拉曼信号的应用。本发明提供的表面增强拉曼散射基底,其中的检测功能层包括由半导体纳米片阵列和贵金属层构成的半导体-金属的异质结结构,其不仅具有物理增强作用,还具有较强的化学增强作用,从而使该结构具有非常高的表面增强拉曼活性,并且具有很高的稳定性和重复性。

    压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109540354B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201811465344.4

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种压力传感器及其制备方法,所述压力传感器包括相对设置的第一电极板和第二电极板,其特征在于,所述第一电极板包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的叉指电极,所述叉指电极的每一子电极包括依次设置于所述第一衬底上的半导体层和第一复合金属层;所述第二电极板包括一侧表面具有微结构阵列的第二衬底和覆设于所述微结构阵列上的第二复合金属层;其中,所述第二复合金属层与所述第一复合金属层相互抵触连接。所述压力传感器具有高灵敏度、大的测量范围和能耗低的特性,能够满足在压力传感器的应用领域中日益增长的需求;另外,该压力传感器的结构简单、其制备工艺难度低,易于大规模生产。

    红外LED器件及其制备方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110071210B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201910300225.1

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明提供了一种红外LED器件及其制备方法,所述红外LED器件包括从下至上依次堆叠设置的导热基板、反射层及LED芯片层;所述LED芯片层包括红外层和光子晶体层,所述红外层位于所述光子晶体层与所述反射层之间;所述光子晶体层具有光子晶体阵列,所述光子晶体阵列包括阵列排布的多个光子晶体。本发明提出的红外LED器件的LED芯片层包括红外层和光子晶体层,所述光子晶体层具有光子晶体阵列,所述光子晶体阵列包括阵列排布的多个光子晶体,整个红外LED器件除去了衬底,从而实现了器件的小型化;通过所述导热基板能够大大提升整个器件的散热效率,通过所述多个光子晶体能够大大提升整个器件的出光效率,从而在实现小型化的同时提升了出光效率。

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