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公开(公告)号：CN112054074B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010908886.5
申请日：2020-09-02
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。
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公开(公告)号：CN112033582B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010929587.X
申请日：2020-09-07
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有微结构的柔性压力传感器，包括朝向彼此且间隔设置的上基板与下基板以及位于二者之间的绝缘的微结构阵列，所述微结构阵列包括若干阵列地设于所述上基板的内表面的微结构，所述微结构朝向下基板延伸，用于在受压过程中与下基板接触而发生形变；所述微结构包括设置在上基板的内表面的第一部分和连接于第一部分自由端的第二部分，所述第一部分为棱台，第二部分的端面为与所述第一部分相切的柱面，且所述第二部分的弹性模量小于所述第一部分的弹性模量。本发明的微结构被设计为具有相互连接的第一部分和第二部分，这两部分具有不同的形状构造和弹性模量，使得微结构兼具高灵敏度和宽线性响应范围，拓宽了压力传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN111463309B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010271183.6
申请日：2020-04-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/11 , H01L31/0256 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L41/18 , H01L41/37 , H01L27/15 , H01L27/32
Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，以通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。所述制备方法用于制备所述光电探测器。所述显示面板包括上述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；光电探测器位于平坦层的开口内，且位于像素控制电路层上，光电探测器的背电极层与像素控制电路层的源极电连接。
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公开(公告)号：CN111896523A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010884985.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明提供了一种表面增强拉曼散射基底，其包括：支撑衬底，呈直立状地生长于所述支撑衬底上的半导体纳米片阵列；以及，沉积于所述半导体纳米片阵列上的贵金属层。本发明还提供了如上所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法及其在检测待测物的拉曼信号的应用。本发明提供的表面增强拉曼散射基底，其中的检测功能层包括由半导体纳米片阵列和贵金属层构成的半导体-金属的异质结结构，其不仅具有物理增强作用，还具有较强的化学增强作用，从而使该结构具有非常高的表面增强拉曼活性，并且具有很高的稳定性和重复性。
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公开(公告)号：CN111829699A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010787035.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电阻式压力传感器及其制备方法，所述电阻式压力传感器包括相对设置的第一电极层和第二电极层以及设置在第一电极层和第二电极层之间的层间介质层；所述第一电极层和第二电极层分别为导电纤维布，所述层间介质层中设置有通孔，所述通孔的一端连通至所述第一电极层，所述通孔的另一端连通至所述第二电极层。所述电阻式压力传感器具有高灵敏度、大的测量范围和能耗低的特性，能够满足在压力传感器的应用领域中日益增长的需求；另外，该压力传感器的结构简单、其制备工艺难度低，易于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463309A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010271183.6
申请日：2020-04-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/11 , H01L31/0256 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L41/18 , H01L41/37 , H01L27/15 , H01L27/32
Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，以通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。所述制备方法用于制备所述光电探测器。所述显示面板包括上述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；光电探测器位于平坦层的开口内，且位于像素控制电路层上，光电探测器的背电极层与像素控制电路层的源极电连接。
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公开(公告)号：CN111312836B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010112946.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105
Abstract: 本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112033582A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010929587.X
申请日：2020-09-07
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有微结构的柔性压力传感器，包括朝向彼此且间隔设置的上基板与下基板以及位于二者之间的绝缘的微结构阵列，所述微结构阵列包括若干阵列地设于所述上基板的内表面的微结构，所述微结构朝向下基板延伸，用于在受压过程中与下基板接触而发生形变；所述微结构包括设置在上基板的内表面的第一部分和连接于第一部分自由端的第二部分，所述第一部分为棱台，第二部分的端面为与所述第一部分相切的柱面，且所述第二部分的弹性模量小于所述第一部分的弹性模量。本发明的微结构被设计为具有相互连接的第一部分和第二部分，这两部分具有不同的形状构造和弹性模量，使得微结构兼具高灵敏度和宽线性响应范围，拓宽了压力传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN112054074A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010908886.5
申请日：2020-09-02
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。
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公开(公告)号：CN111312836A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010112946.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105
Abstract: 本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。
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