公开(公告)号：CN104425608B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201410003667.7

申请日：2014-01-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种三维半导体器件、包括三维半导体器件的电阻可变存储器件、以及制造三维半导体器件的方法。所述三维半导体器件包括：源极，由第一半导体材料形成；沟道层，形成在源极上并且由第一半导体材料形成；轻掺杂漏极LDD区，形成在沟道层上并且由具有比第一半导体材料高的氧化速率的第二半导体材料形成；漏极，形成在LDD区上并且由第一半导体材料形成；以及栅绝缘层，形成在沟道层、LDD区以及漏极的外周缘上。

公开(公告)号：CN104051465B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201310473523.3

申请日：2013-10-11

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器件及其驱动方法。所述可变电阻存储器件包括：基底层；柱状栅电极，所述柱状栅电极形成在基底层上，并且与基底层的表面大体垂直地延伸。电流传输层被形成为包围柱状栅电极。可变电阻层形成在电流传输层的外部。阻挡层基于施加至柱状栅电极的电压来阻断流经电流传输层的电流路径，并将流经电流传输层的电流转向可变电阻层。

公开(公告)号：CN104425608A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410003667.7

申请日：2014-01-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供了一种三维半导体器件、包括三维半导体器件的电阻可变存储器件、以及制造三维半导体器件的方法。所述三维半导体器件包括：源极，由第一半导体材料形成；沟道层，形成在源极上并且由第一半导体材料形成；轻掺杂漏极LDD区，形成在沟道层上并且由具有比第一半导体材料高的氧化速率的第二半导体材料形成；漏极，形成在LDD区上并且由第一半导体材料形成；以及栅绝缘层，形成在沟道层、LDD区以及漏极的外周缘上。

公开(公告)号：CN103872067A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310221335.1

申请日：2013-06-05

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2454 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/16

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括具有垂直晶体管的半导体衬底，所述垂直晶体管具有分路栅，所述分路栅增加了垂直晶体管的栅极的面积。

公开(公告)号：CN103515386A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310187731.7

申请日：2013-05-20

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了一种垂直存储器件及其制造方法，所述垂直存储器件能够使单元尺寸最小化、并且改善电流驱动能力。所述垂直存储器件包括公共源极区和形成在所述公共源极区上、并且沿着第一方向延伸的源极区。沟道区形成在每个源极区上，所述沟道区沿着第一方向延伸。沟槽形成在沟道区之间。漏极区形成在每个沟道区上。导电层形成在每个沟道区的侧面上，所述导电层沿着第一方向延伸。数据储存材料形成在每个漏极区上。

公开(公告)号：CN112310040A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010381375.2

申请日：2020-05-08

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 提供了一种存储器件。一种存储器件包括：存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与第一导线交叉的第二导线，并设置在第一导线与第二导线之间；以及选择电路，其被配置为选择第一导线。第二导线包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的直导线，以及通过直导线与选择电路间隔开的第一弯曲导线，第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状。

公开(公告)号：CN104425713B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201410006953.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供一种具有垂直沟道的半导体器件、包括所述半导体器件的可变电阻存储器件以及所述半导体器件的制造方法。具有垂直沟道的所述半导体器件包括：垂直柱体，形成在半导体衬底上，并且包括内部部分和包围内部部分的外部部分；结区，形成在垂直柱体的外部部分中；以及栅极，被形成为包围垂直柱体。垂直柱体的内部部分具有比垂直柱体的外部部分小的晶格常数。

公开(公告)号：CN104103308B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201310388497.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: G11C13/04

CPC classification number: H01L27/2481 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/528 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/147 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有结型FET的3D可变电阻存储器件及其驱动方法。所述可变电阻存储器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的存储串选择开关。沟道层形成在列存储串选择开关上。多个栅极沿着沟道层的长度层叠，并且每个栅极与沟道层的外侧接触。可变电阻层形成在沟道层的内侧上，并且与沟道层接触。

公开(公告)号：CN103137863B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201210298827.6

申请日：2012-08-21

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1293

Abstract: 本发明公开了一种相变随机存取存储器件及其制造方法。所述相变随机存取存储器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的开关元件；形成在所述开关元件上的多个相变结构；以及掩埋在所述多个相变结构之间的吸热层，其中，所述多个相变结构与所述吸热层绝缘。

公开(公告)号：CN104103308A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310388497.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴南均

IPC: G11C13/04

CPC classification number: H01L27/2481 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/528 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/147 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有结型FET的3D可变电阻存储器件及其驱动方法。所述可变电阻存储器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的存储串选择开关。沟道层形成在列存储串选择开关上。多个栅极沿着沟道层的长度层叠，并且每个栅极与沟道层的外侧接触。可变电阻层形成在沟道层的内侧上，并且与沟道层接触。