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公开(公告)号：CN106558330B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201610217302.3
申请日：2016-04-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
Abstract: 一种半导体器件包括：存储块，其包括多个存储单元，所述多个存储单元与多个相应字线耦接；以及外围电路，其适用于对所述多个字线执行第一擦除验证操作，以及基于第一擦除验证操作的结果而对所述多个字线之中的一个或多个弱字线执行第二擦除验证操作。
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公开(公告)号：CN106024050B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201510627038.6
申请日：2015-09-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
IPC: G11C7/22
Abstract: 在操作半导体存储器件的方法中，接收编程命令，并通过施加编程脉冲到字线来执行编程操作以增大要被编程的存储单元的阈值电压。通过施加验证电压到字线来从选中存储单元读取页数据，并基于页数据来判定与编程通过相对应的存储单元的数目是否大于确定数目。基于判定结果来输出状态失败信号。
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公开(公告)号：CN107799149B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201710266574.7
申请日：2017-04-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明公开一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置；以及控制单元，其适于控制对非易失性存储器装置的第一页面的存储器单元的编程操作，并且在编程操作失败的情况下处理编程失败，其中控制单元改变读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于擦除状态的阈值电压的编程状态，通过将改变的读取电压施加到第一页面的存储器单元来读出数据，并且根据将通过施加改变的读取电压而读出的数据的翻转位的数量与参考值进行比较的结果来对存储在第一页面的存储器单元中的数据执行错误处理操作。
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公开(公告)号：CN106024050A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510627038.6
申请日：2015-09-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
IPC: G11C7/22
CPC classification number: G11C29/50004 , G11C16/3454 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/56008 , G11C2029/5004
Abstract: 在操作半导体存储器件的方法中，接收编程命令，并通过施加编程脉冲到字线来执行编程操作以增大要被编程的存储单元的阈值电压。通过施加验证电压到字线来从选中存储单元读取页数据，并基于页数据来判定与编程通过相对应的存储单元的数目是否大于确定数目。基于判定结果来输出状态失败信号。
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公开(公告)号：CN106250054B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201610342093.5
申请日：2016-05-20
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明提供一种包括存储器区域的存储器系统的操作方法，其包括：对每个存储器区域的组块执行错误纠正，并且基于错误纠正计算分别对应于存储器区域的信任等级；基于存储器区域的信任等级，设定分别对应于存储器区域的测试读取周期；计数每个存储器区域的正常读取次数的数量，并且基于计数的数量管理分别对应于存储器区域的访问计数；以及当存储器区域中的第一存储器区域的访问计数达到对应于第一存储器区域的测试读取周期的次数时，对第一存储器区域执行一个或多个测试读取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106601294A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610218544.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C16/16
Abstract: 一种数据储存设备包括：控制器；以及非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括多个存储块，并适用于擦除从多个存储块之中选中的存储块，其中，控制器适用于通过擦除禁止列表来管理存储块，以便确保针对存储块的至少一个预定擦除循环。
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公开(公告)号：CN106558330A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610217302.3
申请日：2016-04-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
Abstract: 一种半导体器件包括：存储块，其包括多个存储单元，所述多个存储单元与多个相应字线耦接；以及外围电路，其适用于对所述多个字线执行第一擦除验证操作，以及基于第一擦除验证操作的结果而对所述多个字线之中的一个或多个弱字线执行第二擦除验证操作。
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公开(公告)号：CN106486163B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201610082474.4
申请日：2016-02-05
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
Abstract: 一种数据储存设备包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括第一区的存储单元和第二区的存储单元，所述第一区的存储单元以页分组，所述第二区的存储单元分别与页相对应，且适用于储存表示所述第一区的每个页是否处在擦除状态的信息；以及控制器，所述控制器适用于向所述非易失性存储器件提供用于搜索擦除页的搜索命令和页的搜索地址，其中，所述非易失性存储器件响应于所述搜索命令而向所述控制器提供与所述搜索地址相对应的所述第二区的至少一个存储单元的状态。
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公开(公告)号：CN107799149A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710266574.7
申请日：2017-04-21
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C29/50004 , G06F11/1044 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/42 , G11C29/52 , G11C2029/5004 , G11C16/3436
Abstract: 本发明公开一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置；以及控制单元，其适于控制对非易失性存储器装置的第一页面的存储器单元的编程操作，并且在编程操作失败的情况下处理编程失败，其中控制单元改变读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于擦除状态的阈值电压的编程状态，通过将改变的读取电压施加到第一页面的存储器单元来读出数据，并且根据将通过施加改变的读取电压而读出的数据的翻转位的数量与参考值进行比较的结果来对存储在第一页面的存储器单元中的数据执行错误处理操作。
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公开(公告)号：CN106486163A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610082474.4
申请日：2016-02-05
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 梁赞祐
Abstract: 一种数据储存设备包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括第一区的存储单元和第二区的存储单元，所述第一区的存储单元以页分组，所述第二区的存储单元分别与页相对应，且适用于储存表示所述第一区的每个页是否处在擦除状态的信息；以及控制器，所述控制器适用于向所述非易失性存储器件提供用于搜索擦除页的搜索命令和页的搜索地址，其中，所述非易失性存储器件响应于所述搜索命令而向所述控制器提供与所述搜索地址相对应的所述第二区的至少一个存储单元的状态。
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