公开(公告)号：CN103530679B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310272931.2

申请日：2013-07-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 黒田宏 ,  小池秀雄

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48149 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04B5/0075 ,  H04B7/24 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件能够处理多个不同高频率的非接触通信模式，并由多芯片结构形成。执行高频率非接触通信的接口控制和通信数据的数据处理的第一半导体芯片被装载在布线板上；执行通信数据的另一个数据处理的第二半导体芯片被装载在第一半导体芯片上。在这种情况下，第一半导体芯片中的发送焊盘与接收焊盘的相比布置在距芯片的周边较远的位置，第二半导体芯片通过在第一半导体芯片上偏置来装载，以便避开发送焊盘。

公开(公告)号：CN103530679A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310272931.2

申请日：2013-07-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 黒田宏 ,  小池秀雄

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48149 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04B5/0075 ,  H04B7/24 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件能够处理多个不同高频率的非接触通信模式，并由多芯片结构形成。执行高频率非接触通信的接口控制和通信数据的数据处理的第一半导体芯片被装载在布线板上；执行通信数据的另一个数据处理的第二半导体芯片被装载在第一半导体芯片上。在这种情况下，第一半导体芯片中的发送焊盘与接收焊盘的相比布置在距芯片的周边较远的位置，第二半导体芯片通过在第一半导体芯片上偏置来装载，以便避开发送焊盘。