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公开(公告)号：CN102257606A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151424.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 克里斯多夫·J·里维特
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: G01T1/00
Abstract: 本发明提供了一种非法拉第离子剂量测量装置，此非法拉第离子剂量测量装置位于等离子处理室中以及包括位于室中的工件上面的感测器。感测器经配置为侦测从曝露于等离子植入制程的工件的表面发射出的次级电子的数量。此感测器输出与已侦测的次级电子的数量成比例的电流信号。电流电路将施加到室中的工件的偏压电流减去从感测器所生成的已侦测的次级电流。这些电流之间的差异提供了在离子植入制程期间，对在原位置所计算出的离子剂量电流进行测量。
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公开(公告)号：CN101461028A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020822.4
申请日：2007-06-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30488
Abstract: 一种离子植入机，包括离子束产生器，配置所述离子束产生器以产生离子束且向工件引导离子束，其中离子束与工件之间的相对运动在此工件的前表面上产生扫描图案。扫描图案在此工件的此前表面的至少一部分上具有振荡图案。
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公开(公告)号：CN101584019A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780050053.2
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 摩根·D·艾文斯 , 杰·汤玛斯·舒尔 , 亚瑟温·谢帝 , 肯尼士·史温森
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , G01R19/00
CPC classification number: G01R33/07 , B82Y25/00 , G01R19/0061 , G01R33/093 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24405 , H01J2237/24535 , H01J2237/24564 , H01J2237/304 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供一种用于对离子注入机的法拉第杯进行磁性监控的方法。本发明包括：真空室及位于真空室内的法拉第杯，此法拉第杯用以在进入真空室的离子束路径内移动；磁性监控器放置于真空室周围，用以区分与法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101461028B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780020822.4
申请日：2007-06-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30488
Abstract: 一种离子植入机，包括离子束产生器，配置所述离子束产生器以产生离子束且向工件引导离子束，其中离子束与工件之间的相对运动在此工件的前表面上产生扫描图案。扫描图案在此工件的此前表面的至少一部分上具有振荡图案。
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公开(公告)号：CN101076875B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号：CN102257607A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151713.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 乔治·M·葛梅尔 , 伯纳德·G·琳赛 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 一种离子均匀性监控装置，被定位在等离子体制程室内且包括多个感测器，这些感测器位于等离子体制程室内的工件上方一段距离之处。这些感测器经配置以侦测从暴露于等离子体制程的工件的表面发射出来的二次电子的数量。每个感测器输出与侦测到的二次电子成正比的电流信号。一电流比较电路输出由多个电流信号的每个电流信号而得出的处理后的信号。等离子体处理过程中侦测到从工件上发射出来的二次电子显示出工件表面的均匀性特征，且二次电子的侦测可在线上等离子体处理过程中原位执行。
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公开(公告)号：CN101584019B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780050053.2
申请日：2007-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 摩根·D·艾文斯 , 杰·汤玛斯·舒尔 , 亚瑟温·谢帝 , 肯尼士·史温森
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , G01R19/00
CPC classification number: G01R33/07 , B82Y25/00 , G01R19/0061 , G01R33/093 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24405 , H01J2237/24535 , H01J2237/24564 , H01J2237/304 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供一种用于对离子注入机的法拉第杯进行磁性监控的方法。本发明包括：真空室及位于真空室内的法拉第杯，此法拉第杯用以在进入真空室的离子束路径内移动；磁性监控器放置于真空室周围，用以区分与法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场。
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公开(公告)号：CN101076875A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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