公开(公告)号：CN103003912B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180035123.3

申请日：2011-06-01

Applicant: 离子射线服务公司

Inventor： F·托瑞格罗萨 ,  L·洛克斯

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/32

CPC classification number: G01T1/02 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明涉及用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备，该设备包括：估算注入电流的估算模块CUR，次生电子检测器DSE，以及用于通过注入电流与来自次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路CC。此外，高能次生电子检测器DSE包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器：-用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极，该电极具有至少一个允许电子通过的孔；-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔；-选择电极，该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。

公开(公告)号：CN103119688A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180045304.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  法兰克·辛克莱 ,  马太·P·麦卡伦

IPC: H01J37/10 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/21 ,  H01J2237/216 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点。一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。

公开(公告)号：CN102608395A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110463322.6

申请日：2011-12-07

Applicant: 高级冶金技术公司

Inventor： P·J·奥旺

IPC: G01R19/08 ,  G01B7/00 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/29 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507

Abstract: 用于通过使用穿有孔7的转动靶2来分析带电粒子束F的截面中的电流密度的装置和方法。这种装置和相关的处理方法使得能够不用断层X线摄影重构方法来重构电流密度的3D图像。

公开(公告)号：CN101584019A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780050053.2

申请日：2007-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  摩根·D·艾文斯 ,  杰·汤玛斯·舒尔 ,  亚瑟温·谢帝 ,  肯尼士·史温森

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  G01R19/00

CPC classification number: G01R33/07 ,  B82Y25/00 ,  G01R19/0061 ,  G01R33/093 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明提供一种用于对离子注入机的法拉第杯进行磁性监控的方法。本发明包括：真空室及位于真空室内的法拉第杯，此法拉第杯用以在进入真空室的离子束路径内移动；磁性监控器放置于真空室周围，用以区分与法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场。

公开(公告)号：CN100495072C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200480028455.9

申请日：2004-12-28

Applicant: 日新意旺机械股份公司

Inventor： 海势头圣 ,  滨本成显

IPC: G01T1/29 ,  G21K5/04 ,  H01J37/317 ,  H01J37/04 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/26586

Abstract: 当前台快门驱动装置(36)在y方向驱动前台束限制快门(32)时，测量由经过快门(32)的一侧面(34)的外侧入射到前台多点法拉第装置(24)上的离子束(4)的束流的变化，从而在前台束限制快门(32)的位置在离子束(4)的y方向计算束流密度分布。由当后台快门驱动装置(46)在y方向驱动后台束限制快门(42)时，测量经过快门(42)的一侧面(44)的外侧入射到后台多点法拉第装置(28)上的离子束(4)的束流的变化，从而在前台束限制快门(42)的位置在离子束(4)的y方向计算束流密度分布。另外，通过测量的结果来测量离子束(4)的y方向的角偏移、发散角和束尺寸的至少一个。

公开(公告)号：CN101120427A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004939.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  艾立克·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  葛登·恩吉尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。

公开(公告)号：CN1256752C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200310123947.3

申请日：2000-11-11

Applicant: 日新离子设备株式会社

Inventor： 岩泽康司

IPC: H01J37/317 ,  G21K1/08

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子注入装置处理充当带电粒子束的离子束，并具有加速腔8，加速腔8含有用于会聚或发散离子束的静电透镜，完成对静电透镜的控制如下。通过单个法拉第杯46接受扫描离子束4，测量离子束4的束数量I(n)和束宽度Wd(p)相对规定值，计算束数量和束宽度的估量值。对这些估量值分配权重，计算一元化估量值。控制由加速腔8施加于静电透镜上的聚焦电压Vf，从而提高一元化估量值。波形整形控制器50和束控制器54构成完成该控制的装置。

公开(公告)号：CN1159749C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN00135528.7

申请日：2000-11-11

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 岩泽康司

IPC: H01J37/00 ,  H01L21/265 ,  G21K1/08

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子注入装置处理充当带电粒子束的离子束，并具有加速腔8，加速腔8含有用于会聚或发散离子束的静电透镜。完成对静电透镜的控制如下。通过单个法拉第杯46接受扫描离子束4，测量离子束4的束数量I(n)和束宽度Wd(p)。相对规定值，计算束数量和束宽度的估量值。对这些估量值分配权重，计算一元化估量值。控制由加速腔8施加于静电透镜上的聚焦电压Vf，从而提高一元化估量值。波形整形控制器50和束控制器54构成完成该控制的装置。

公开(公告)号：CN103119688B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180045304.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 常胜武 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  法兰克·辛克莱 ,  马太·P·麦卡伦

IPC: H01J37/10 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/21 ,  H01J2237/216 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 一种束线式离子植入机，包括：离子源，其被配置为用以产生离子束；扫描器，其被配置为用以对离子束进行扫描，从而产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束；以及聚焦元件，其具有聚焦场，位于扫描器的上游，被配置为用以使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点。一种离子束调整方法包括：产生离子束；使离子束聚焦于位于扫描起点处的焦点；以及对离子束进行扫描，以产生具有从扫描起点向外发散的轨迹的被扫描离子束。

公开(公告)号：CN104025247A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280061905.9

申请日：2012-12-13

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。