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公开(公告)号：CN113169077B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201880099771.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种钯覆盖铜接合线，其在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间维持优异的接合可靠性。一种钯覆盖铜接合线，其中，相对于铜与钯与硫族元素的合计，钯的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，硫浓度为5质量ppm～12质量ppm、或硒浓度为5质量ppm～20质量ppm或碲浓度为15质量ppm～50质量ppm，在形成于引线前端的无空气球的距离前端部表面为5.0nm～100.0nm的范围内，具有钯的浓度相对于铜与钯的合计成为平均6.5原子％～30.0原子％的钯富集区域。
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公开(公告)号：CN105914195B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610024309.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号：CN105914195A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610024309.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/01015 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/1204 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L23/49
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，该铜的渗出层的表面被氧化，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号：CN113646450B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080012102.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供钯覆盖铜接合线、其接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法，所述钯覆盖铜接合线在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间稳定地维持优异的接合可靠性。一种引线接合结构，其中，接合线是具有铜芯材和Pd层、且含有硫族元素的Pd覆盖铜接合线，相对于铜与Pd与硫族元素的合计，Pd的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm～2质量ppm、或Se浓度为5质量ppm～20质量ppm或Te浓度为15质量ppm～50质量ppm以下，在半导体芯片的含有Al的电极与球接合部的接合面附近，具有Pd浓度相对于Al与铜与Pd的合计成为2.0质量％以上的Pd富集接合区域。
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公开(公告)号：CN106486450B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610730700.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: B23K35/0227 , B21C1/02 , B23K35/302 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C26/00 , C25D3/50 , H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/01201 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01006 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01004 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01203 , H01L2924/01206
Abstract: 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其为线径在10～25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486449B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610550457.9
申请日：2016-07-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种球焊用金(Au)分散铜线，其可形成稳定的熔融焊球，以解决量产接合线的FAB造成熔融焊球的形成不稳定的问题。本发明的球焊用金(Au)分散铜线，其特征为：其是在铜(Cu)的纯度为99.9质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成钯(Pd)被覆层及金(Au)表皮层、线径为10‑25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，以该金(Au)的化学分析得到的理论膜厚为0.1纳米(nm)以上10纳米(nm)以下，以电子微探仪(EPMA)的表面分析所得到的金(Au)的分布是：该金(Au)微粒子以无数点状分布于该钯(Pd)被覆层上。
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公开(公告)号：CN107958890A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710200765.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L24/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078
Abstract: 本发明提供球焊用铜合金线，该球焊用铜合金线由0.1～1.5质量％的镍、0.01～1.5质量％的铂或钯、0.1～20质量ppm的硫、10～80质量ppm的氧、以及剩余部分为铜所构成；特别是0.1～1.5质量％的镍、0.01～1.5质量％的铂或钯、0.1～20质量ppm的硫、10～100质量ppm的磷、10～80质量ppm的氧、以及剩余部分为铜(Cu)所构成。本发明提供的球焊用铜合金线，即使将接合线细化、缩小熔融球体，压接球体的熔接面积亦不会展开成花瓣状，而可确保稳定均匀的压接形状。
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公开(公告)号：CN103295993B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN105405828A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410468025.4
申请日：2014-09-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分如下，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。
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公开(公告)号：CN104164591A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410206059.6
申请日：2014-05-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/01028 , H01L2924/00013 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性铝合金接合线，其目的在于抑制半导体元件连接用高纯度铝线在高温/高湿环境下的晶间腐蚀。本发明是在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10～200重量ppm的铑(Rh)和/或钯(Pd)的铝合金接合线，这些添加元素被强制固溶而在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相，上述铝基体的结晶粒径为10～100μm。铑(Rh)和钯(Pd)通过催化作用使铝表面产生的原子状氢形成H2，阻止其向铝基体中的扩散渗透，从而能够抑制原子状氢键合形成H2而发生的晶间腐蚀。
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