-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106232845A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580022037.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 电化株式会社
IPC: C22C26/00 , C22C1/05 , C22C1/10 , H01L23/373
CPC classification number: F28F13/18 , C01B32/28 , C01B32/914 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C26/00 , C22C2026/008 , F28F21/084 , F28F21/089 , F28F2255/06 , H01L23/373 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , Y10T428/12056 , Y10T428/12063 , Y10T428/12069 , Y10T428/12076 , Y10T428/12083 , Y10T428/12889 , Y10T428/12944 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铝-金刚石系复合体，该铝-金刚石系复合体兼具高热传导率和与半导体元件接近的热膨胀率，即使在于高负荷下的实际使用中也能够抑制表面金属层部分的膨胀等的产生。本发明提供铝-金刚石系复合体，其特征在于，粒径的体积分布的第一峰位于5～25μm，第二峰位于55～195μm，粒径为1～35μm的体积分布的面积与粒径为45～205μm的体积分布的面积的比率为1比9至4比6，该铝-金刚石系复合体含有65体积％～80体积％的圆形度为0.94以上的金刚石粉末，剩余部分由含有铝的金属构成。
-
公开(公告)号：CN105886825B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201610280671.7
申请日：2009-07-08
Applicant: 电化株式会社
IPC: B32B15/16
CPC classification number: C22C26/00 , B22F3/26 , B22F7/04 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C2204/00 , H01L21/4882 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01S5/02484 , Y10T428/12361 , Y10T428/12625 , Y10T428/12736 , Y10T428/12993 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/26 , C22C1/10 , B22F3/11 , B22F3/20 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝‑金刚石类复合体。所述铝‑金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝‑金刚石类复合体，其特征在于，所述铝‑金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝‑金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。
-
公开(公告)号：CN103733331B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280037344.9
申请日：2012-07-17
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , B22D18/02 , B22F7/08 , B32B15/016 , C22C21/00 , C22C26/00 , C22C45/04 , C23C18/1653 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/00 , F28F3/00 , H01L23/3732 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体元件用散热器件，其于包含含有40～70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4～6mm的板状体的两面，被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体，在其至少两主面，从主面侧依序形成(1)膜厚0.1～1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1～5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05～4μm的Au层而成，此处，Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。
-
公开(公告)号：CN106232845B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201580022037.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 电化株式会社
IPC: C22C26/00 , C22C1/05 , C22C1/10 , H01L23/373
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铝‑金刚石系复合体，该铝‑金刚石系复合体兼具高热传导率和与半导体元件接近的热膨胀率，即使在于高负荷下的实际使用中也能够抑制表面金属层部分的膨胀等的产生。本发明提供铝‑金刚石系复合体，其特征在于，粒径的体积分布的第一峰位于5～25μm，第二峰位于55～195μm，粒径为1～35μm的体积分布的面积与粒径为45～205μm的体积分布的面积的比率为1比9至4比6，该铝‑金刚石系复合体含有65体积％～80体积％的圆形度为0.94以上的金刚石粉末，剩余部分由含有铝的金属构成。
-
公开(公告)号：CN102318093B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201080007859.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: B22D18/02 , B22F3/26 , B22F2998/10 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/12 , C22C29/16 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12007 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B41/51 , C04B41/522 , C04B35/04 , C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B35/505 , C04B41/00 , C23C30/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.022 seconds)
