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公开(公告)号：CN110169213B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201880006597.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属电路。公开的方法包括下述工序：将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷，由此形成与陶瓷基材接触的第一金属层的工序，其中，第一金属粉体被加热至10～270℃后从喷嘴10喷出，喷嘴10的入口处的非活性气体的表压为1.5～5.0MPa；及在非活性气体气氛下对第一金属层进行加热处理的工序等。
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公开(公告)号：CN110999544B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880050613.2
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10‑6～9×10‑6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。
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公开(公告)号：CN110168140B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880006590.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人信州大学 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材和形成于陶瓷基材上的金属层。该方法包括下述工序：将金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后进行吹喷，由此在陶瓷基材上形成金属层的工序；及在非活性气体气氛下对陶瓷基材及金属层进行加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN110999544A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050613.2
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 陶瓷电路基板，其具备陶瓷基材1、和设置于陶瓷基材1两面的包含Al及/或Cu的金属层2a、2b，所述陶瓷电路基板的25℃～150℃时的线性热膨胀系数的测定值α1为5×10-6～9×10-6/K，所述α1相对于25℃～150℃时的线性热膨胀系数的理论值α2的比α1/α2为0.7～0.95，金属层2a、2b中的至少一者形成了金属电路。
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公开(公告)号：CN114729440B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080079297.9
申请日：2020-11-12
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 复合基板100依次具备陶瓷板10；金属层21，其包含选自由铝和铝合金组成的组中的至少一种；以及喷镀层22，其包含选自由铜和铜合金组成的组中的至少一种，其中，在金属层21与喷镀层22之间，散布有具有铜和铝作为构成元素的金属间化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110382738B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201880013217.2
申请日：2018-02-22
Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。
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公开(公告)号：CN110998839A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050659.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 功率模块1，其具备底板2、接合于底板2上的陶瓷绝缘基板4、和接合于陶瓷绝缘基板4上的半导体元件6，底板2的与陶瓷绝缘基板4呈相反侧的面2b具有凸状的翘曲2c，温度从150℃到25℃的降温时的底板2的线性热膨胀系数α1(×10-6/K)及陶瓷绝缘基板4的线性热膨胀系数α2(×10-6/K)满足下述式(1)。
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公开(公告)号：CN110998839B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880050659.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 功率模块1，其具备底板2、接合于底板2上的陶瓷绝缘基板4、和接合于陶瓷绝缘基板4上的半导体元件6，底板2的与陶瓷绝缘基板4呈相反侧的面2b具有凸状的翘曲2c，温度从150℃到25℃的降温时的底板2的线性热膨胀系数α1(×10‑6/K)及陶瓷绝缘基板4的线性热膨胀系数α2(×10‑6/K)满足下述式(1)。
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公开(公告)号：CN110382738A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880013217.2
申请日：2018-02-22
Applicant: 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 电化株式会社
Abstract: 本发明公开了铝电路基板的制造方法，所述制造方法包括：向陶瓷基材吹喷包含铝粒子及/或铝合金粒子的经加热的金属粉体，由此在陶瓷基材的表面上形成金属层的工序。金属粉体中至少一部分的温度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为金属粉体的软化温度以上且为金属粉体的熔点以下。金属粉体中至少一部分的速度在到达至陶瓷基材的表面的时刻为450m/s以上且1000m/s以下。
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