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公开(公告)号：CN118431238A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211555101.6
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: H01L27/142 , H10K39/15 , H01L31/0224 , H10K30/81
Abstract: 由本发明公开了一种新型钙钛矿/Si太阳能三端叠层电池。所述的结构由钙钛矿上电池，中间电极，晶硅下电池三部分组成。其中钙钛矿上电池的上端为上电极，中间电极为中电极，晶硅下电池的下端为下电极。中电极从上下电池收集同一类型载流子，上电极与下电极收集另一种载流子。该新型钙钛矿/Si三端太阳能电池，中间连接层作为第三个电极，替代了传统的复合层或隧穿层，可以同时收集上下电池的载流子，让两个子电池相互独立工作，有效避免电流失匹问题，能够更好的贴合实际环境，并采用普通晶硅电池作为底电池，工艺成熟，成本相对较低，更易于应用于实际生产。
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公开(公告)号：CN116314437A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211564817.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无铅环保的Cs2TiBr6双钙钛矿薄膜的制备方法，其包括以下步骤：将CsBr粉末与TiBr4粉末加入装有γ‑丁内酯溶剂的烧杯并磁力搅拌使得溶解完全，之后缓慢加入无水乙腈作为抗溶剂并置于加热台上恒温加热，待产生种子微晶沉淀后倒掉溶液，使用丙酮对种子微晶冲洗后静置干燥；将种子微晶、CsBr粉末与TiBr4粉末加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中，装入离心管离心，将离心后的上层清液倒掉并将沉淀静置干燥，得到Cs2TiBr6微晶；将Cs2TiBr6微晶以一定质量比加入到环己烷与异丙醇的混合溶液，并进行磁力搅拌使得微晶充分分散，得到Cs2TiBr6前驱体溶液；将Cs2TiBr6前躯体溶液滴加到基底上进行旋涂，之后将基底置于加热台上退火，从而得到Cs2TiBr6薄膜。优点是相对现有薄膜制备技术，1)不需要热蒸发镀膜机和双源共蒸工艺，成本低且工艺简单；2)不会腐蚀基底材料；3)所制备Cs2TiBr6薄膜的厚度为8～10μm，适合用在光电器件中。
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公开(公告)号：CN117377334A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202211582276.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: H10K39/15 , H10K30/20 , H10K85/00 , H01L31/04 , H01L31/028
Abstract: 本发明提出了一种无中间层的钙钛矿量子点/硅叠层太阳能电池及其制备方法，其电池结构包括：有源层为窄带隙(1.4～1.6eV)和宽带隙(1.65～1.95eV)的钙钛矿量子点层的顶部电池，有源层为晶硅(1.12eV)的底部电池的，不需要中间互连层。顶部钙钛矿电池为p‑i‑n或n‑i‑p结构，从上至下依次为透明电极层，缓冲层，空穴/电子传输层，窄带隙钙钛矿量子层，宽带隙钙钛矿量子点层，电子/空穴传输层；底部硅电池为同质结或异质结结构，从上至下依次为p型区域，晶体硅区域，钝化层，n型区域。制备方法包括：1)通过热扩散法或者PECVD制备出底部的同质结硅电池或异质结硅电池；2)通过旋涂法、真空热蒸发法、磁控溅射制备出顶部钙钛矿电池。本发明的优点是：相对于传统的中间互连层结构，工艺更加简单且成本低；因为没有中间互连层，降低了寄生吸收，从而提升了效率；两层量子点层构成的异质结结构提升了载流子的扩散长度，有利于光生载流子的分离和提取。
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公开(公告)号：CN117487539A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311338017.3
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及硅量子点技术领域，具体涉及一种易分离的双色荧光硅量子点的合成方法。其中包括PL光谱最大峰值能量在350‑420nm的光致蓝色发光硅量子点(B‑Si QDs)，和PL光谱最大峰值能量在650‑900nm的光致红色发光硅量子点(R‑Si QDs)。本发明通过高温热还原法，同时制备出光致蓝色发光和光致红色发光硅量子点，且实验重复性优异；无需长时间的尺寸分离或复杂的改性处理，仅仅通过静置反应后的溶液便可自动分离B‑Si QDs和R‑Si QDs。本发明制备出的B‑Si QDs的荧光在不同波长激发下有激发依赖性，在光开关、生物成像、分子探针领域具有潜在的应用场景，R‑Si QDs的荧光在不同波长激发下没有激发依赖性，在光电子器件领域、生物标记物具有潜在的应用场景。
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公开(公告)号：CN112921397B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110082333.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稳定无毒的Cs2TiBr6双钙钛矿晶体在空气氛围下的制备方法，其包括以下步骤：将溴化铯和溴化钛和氢溴酸以物质量之比1:(1.3～2):(1.6～2.2)的比例加入到装有磁力转子的玻璃瓶中，将玻璃瓶密封好后放在加热磁力搅拌器上，以280～400rpm的转速持续搅拌15～30min形成Cs2TiBr6溶液；将玻璃瓶打开，用移液器将瓶中的红色溶液吸出，滴加到蒸发皿上，将蒸发皿置于加热台上，235℃～250℃的温度持续加热5～7min，多余溶液蒸发完毕得到红色结晶；取下蒸发皿，刮下附着在培养皿上的红色结晶，得到红色Cs2TiBr6单晶。优点是在空气氛围下合成，不需要真空环境，对设备和环境要求低，制备成本低，并且液相合成法适合大批量合成Cs2TiBr6晶体，有利于商业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112921397A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110082333.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稳定无毒的Cs2TiBr6双钙钛矿晶体在空气氛围下的制备方法，其包括以下步骤：将溴化铯和溴化钛和氢溴酸以物质量之比1:(1.3～2):(1.6～2.2)的比例加入到装有磁力转子的玻璃瓶中，将玻璃瓶密封好后放在加热磁力搅拌器上，以280～400rpm的转速持续搅拌15～30min形成Cs2TiBr6溶液；将玻璃瓶打开，用移液器将瓶中的红色溶液吸出，滴加到蒸发皿上，将蒸发皿置于可控温设备上，235℃～250℃的温度持续加热5～7min，多余溶液蒸发完毕得到红色结晶；取下蒸发皿，刮下附着在培养皿上的红色结晶，得到红色Cs2TiBr6单晶。优点是在空气氛围下合成，不需要真空环境，对设备和环境要求低，制备成本低，并且液相合成法适合大批量合成Cs2TiBr6晶体，有利于商业生产。
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公开(公告)号：CN114509421B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111682856.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 电子科技大学 , 中国烟草总公司四川省公司
Abstract: 本发明公开了一种密接有序的表面增强拉曼基底及其制备方法，金纳米粒子通过桥链与DNA墨水链的连接，高密度接触且均匀有序排列在金膜衬底上。采用不同长度的DNA墨水链可实现不同高度的纳米粒子有序分层。通过预定DNA墨水链的位置可实现同层纳米粒子的紧密堆积，从而获得高密度有序排列的单层或多层的纳米粒子拉曼基底。本发明提出的拉曼基底能产生比较密集且均匀的热点，可提供高灵敏度和高精度的拉曼光谱检测。
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公开(公告)号：CN114509421A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111682856.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 电子科技大学 , 中国烟草总公司四川省公司
Abstract: 本发明公开了一种密接有序的表面增强拉曼基底及其制备方法，金纳米粒子通过桥链与DNA墨水链的连接，高密度接触且均匀有序排列在金膜衬底上。采用不同长度的DNA墨水链可实现不同高度的纳米粒子有序分层。通过预定DNA墨水链的位置可实现同层纳米粒子的紧密堆积，从而获得高密度有序排列的单层或多层的纳米粒子拉曼基底。本发明提出的拉曼基底能产生比较密集且均匀的热点，可提供高灵敏度和高精度的拉曼光谱检测。
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公开(公告)号：CN117946668A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311451559.1
申请日：2023-11-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法，其包括以下步骤：1)通过水解‑缩合反应生成干凝胶；2)将干凝胶在三个平台温度下依次进行煅烧，之后将其研磨得到棕色粉末；3)将棕色粉末进行刻蚀，得到氢钝化的硅量子点粉末；4)将氢钝化的硅量子点粉末通过氢化硅烷化反应，得到烷基功能化的硅量子点粉末。优点是相对现有技术，1)降低了近红外发射硅量子点的制备温度，可以实现在720～900℃下制备出近红外发射硅量子点，性能等同于现有技术在1100～1400℃所制备的近红外发射硅量子点；2)对煅烧设备的石英管损耗较小且能耗较小，导致了成本较低，有利于近红外发射硅量子点技术的产业应用和推广。
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公开(公告)号：CN117651432A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311668020.1
申请日：2023-12-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/16 , H10K50/84 , B82Y20/00
Abstract: 本发明涉及光学器件领域，具体涉及一种基于金属纳米阵列增强发光的窄带可调谐硅量子点发光二极管(Si QD‑LED)结构。所述的Si QD‑LED包括从下至上依次为金属电极层、含有金属纳米阵列的电子传输层、Si QD层、空穴传输层和空穴注入层、ITO层、绝缘层、金属凹槽反射层。金属电极层与金属凹槽反射层作为反射镜构成一个法布里‑珀罗腔，通过干涉作用使得发射光谱半峰全宽变窄，通过设计薄层金属层厚度、绝缘层厚度，调谐发射波长及发光线宽大小。设计金属纳米阵列结构，通过局域表面等离激元效应，使得有源层中的电子和空穴在光子发射时更容易形成激子复合，实现对Si QD层发光的增强，解决发射光谱变窄导致发光强度变弱的问题。这种结构使得Si QD‑LED发光线宽大大减小，有助于提高光谱纯度，在显示技术上有潜在的应用场景。
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