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公开(公告)号：CN118861655A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410884858.2
申请日：2024-07-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F18/2131 , G06F18/21 , G06F18/2433 , G21C7/12 , G21C17/10
Abstract: 本发明公开了一种基于连续小波变换的控制棒驱动机构电流动作点提取方法，属于核电设备状态监测技术领域。本发明基于连续小波变换识别磁力提升型控制棒驱动机构动作时线圈电流图上的变化时刻，创新性地应用脊线特征过滤提取符合控制棒驱动机构的动作响应，从而确定电流开始增加的时刻、持续时间和电流开始减少的时刻等。本发明能够准确识别控制棒驱动机构动作过程中的动作点，在反应堆因辐射无法使用振动传感器的场景下具有一定的应用价值。
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公开(公告)号：CN118430858A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410521974.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G21C17/10 , G01D21/02 , G06F18/2433 , G06F18/15 , G06F18/25 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/096 , G06N3/048
Abstract: 本发明公开了一种基于跨模态知识蒸馏的控制棒驱动机构故障诊断方法，属于核工业技术领域。通过提取控制棒驱动机构线圈电流和振动两种不同模态信号的互补性特征，采用知识蒸馏技术将教师网络学习到的跨模态知识转移到小型学生网络，从而提升基于单模态线圈电流信号进行故障诊断的准确率；具体流程为：首先，同时采用线圈电流和设备振动信号对教师网络进行训练；然后，通过知识蒸馏训练学生网络；最后，将训练好的学生网络用于线圈电流数据的故障诊断；本发明所述方法能够准确识别控制棒驱动机构的滑棒、卡棒和提不起故障，同时兼顾了小参数规模和低计算开销；创新性地解决了反应堆现场无法大量采集设备振动信号，从而导致故障诊断模型准确率低的问题。
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公开(公告)号：CN107359195B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710642237.3
申请日：2017-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种高耐压横向超结器件，交替的第一掺杂类型条与第二掺杂类型条构成超结结构，在第二掺杂类型阱区与第二掺杂类型条、第一掺杂类型条交替出现区域的交界处形成第二掺杂类型多面耗尽区，由第二掺杂类型条、第二掺杂类型阱区对第一掺杂类型条构成了三面耗尽的结构，左右同理，右边存在第一掺杂类型多面耗尽区；减小了边缘区域对器件耐压的影响，维持了电荷平衡，以达到通过消除超结AB点高电场来避免提前击穿，提高器件耐压的目的。因为边缘电压峰值得到了抑制，可在保持高耐压的情况下，通过进一步提高超结条的掺杂浓度，进而降低导通电阻。最终达到消除超结AB点高电场、提高器件耐压、降低比导通电阻的目的。
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公开(公告)号：CN109447932A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811309985.0
申请日：2018-11-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T5/50
CPC classification number: G06T5/50 , G06T2207/10048 , G06T2207/20221
Abstract: 本发明公开了一种基于实测红外成像数据的目标与背景融合仿真方法，主要用来生成目标在不同背景以及背景中的不同位置处的红外图像。其方法实现包括：拍摄红外图像，计算目标红外图像中的目标的实际尺寸，计算目标红外图像中目标产生的红外特征的辐射亮度，分离红外图像中的目标红外图像，计算模拟红外成像系统中模拟目标的红外特征，融合模拟目标与背景的红外特征，输出模拟目标与背景融合的红外仿真图像。本发明可以得到目标处于不同条件的背景以及背景中不同位置的红外图像，具有仿真生成红外目标图像真实度高，细节特征丰富的优点。
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公开(公告)号：CN109087952A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810967667.7
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第一导电类型buffer层、第二导电类型阱区、第一导电类型源端接触区以及第二导电类型接触区，元胞两侧设有伸入到第一导电类型漂移区内的深槽，深槽内的第一介质氧化层、第二介质氧化层和第三介质氧化层封闭第一多晶硅，第三介质氧化层和第四介质氧化层封闭第二多晶硅，源极金属接触位于两个第一介质氧化层之间，本发明通过引入高掺杂浓度的第一导电类型Buffer层，在缓解固有JFET效应的同时，扩展电流路径并提高了局部载流子浓度，从而增大器件导通电流，减小导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107978632A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711235719.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种多沟道的横向高压器件，其元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底上，包括埋氧层、第二导电类型半导体漂移区、槽结构，第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体源区、第一导电类型半导体接触区三者形成一个体区单元，器件包括至少一个体区单元，在槽结构中设有多栅极金属结构，多栅极金属结构包括至少两个金属栅极，多栅极金属结构在第一导电类型半导体体区内部提供了至少两个沟道，给载流子提供了低阻通道，本发明采用槽多栅的结构增加了沟道数目，增加了器件的导电通路，极大地降低了器件的导通电阻，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系，在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN103633431B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310660781.2
申请日：2013-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低剖面三频可调天线，在第一介质基板上下两表面分别印制变形分形偶极子上下臂，关于该基板水平中心线对称，一阶辐射单元与双线馈电微带线相连并延伸至介质基板边沿，每阶辐射单元配接有各自对应的接入了电感的直流偏置线，用矩形贴片将二阶和三阶辐射单元中的辐射贴片内侧顶点相连接形成各自的辐射单元，各个相邻阶辐射单元中间加载一个PIN开关进行频率可调。第一介质基板放置在第二介质基板上用泡沫板相隔，周期性排列的EBG单元印制在第二层介质基板上以提高天线增益。本发明解决了天线在高频处可调实现困难、方向图不稳定以及剖面较高的问题，能实现在高频X、Ku、Ka波段低剖面三频可调的天线特性，可应用于无线通信和卫星通信。
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公开(公告)号：CN103633431A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310660781.2
申请日：2013-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低剖面三频可调天线，在第一介质基板上下两表面分别印制变形分形偶极子上下臂，关于该基板水平中心线对称，一阶辐射单元与双线馈电微带线相连并延伸至介质基板边沿，每阶辐射单元配接有各自对应的接入了电感的直流偏置线，用矩形贴片将二阶和三阶辐射单元中的辐射贴片内侧顶点相连接形成各自的辐射单元，各个相邻阶辐射单元中间加载一个PIN开关进行频率可调。第一介质基板放置在第二介质基板上用泡沫板相隔，周期性排列的EBG单元印制在第二层介质基板上以提高天线增益。本发明解决了天线在高频处可调实现困难、方向图不稳定以及剖面较高的问题，能实现在高频X、Ku、Ka波段低剖面三频可调的天线特性，可应用于无线通信和卫星通信。
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公开(公告)号：CN114157166A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111511562.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光波导技术领域，公开了用于提升衍射性光波导曝光电子束场强的电路，包括依次电相连的低压变换模块、高压并联模块，所述低压变换模块的输入端为连接低压信号的引脚，所述低压变换模块的输出端为输出N路中压信号的引脚，所述高压并联模块包括N个相互并联的高压子模块，所述高压子模块的输出端为输出10KV～25KV高压信号的引脚，相邻的高压子模块之间连接有延时模块；其中，低压信号的电压为18V～36V，中压信号的电压为390V～410V，N为整数且N≥2。本发明解决了现有技术存在的提升场强效果不佳、曝光效果不佳等问题。
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公开(公告)号：CN109616522B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201811070263.4
申请日：2018-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种横向高压器件，元胞结构包括：第二导电类型半导体衬底，第二导电类型半导体，第一导电类型半导体漂移区，第一导电类型半导体漂移区设有堆叠的PN条，PN条包括：第一层第二导电类型埋层、第一层第一导电类型半导体、第二层第二导电类型半导体、第二层第一导电类型半导体…第n层第二导电类型半导体、第n层第一导电类型半导体，源极第一导电类型JFET注入区设置在第二导电类型半导体和堆叠的PN条之间且位于第二导电类型半导体衬底上方，漏极第一导电类型JFET注入区设置在堆叠的PN条右侧且位于第二导电类型半导体衬底上方，本发明有效缓解器件开启状态下JFET区耗尽甚至夹断对器件非饱和区的影响，提高器件的非饱和区电流。
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