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公开(公告)号：CN117039389A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311123746.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于模式复合波导腔体的带通滤波型魔T，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层、第一金属化通孔阵列、第二金属化通孔阵列、输入差端口、输入和端口和两个输出端口。利用模式复合波导腔体的第一模式和第二模式的场分布特性实现等功率异相和同相滤波响应。这两种模式相互正交，且各自的谐振频率和耦合量可独立控制。本发明具有尺寸小、平衡性好、隔离度高、设计简单等优点。
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公开(公告)号：CN107068813B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN117351389A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311246375.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V20/40 , G06V10/25 , G06V10/80 , G06V10/774 , G06V10/82
Abstract: 本发明属于目标跟踪技术领域，具体来说是涉及一种基于运动模型和外观模型的RGBT目标跟踪方法。本发明方法采用的模型包括外观模型和运动模型；外观模型用于可见光与红外图像融合，提取跟踪目标的外观信息，包括属性驱动残差分支、属性整合网络，跟踪器使用的是RT‑MDNet；运动模型提供被跟踪目标的运动线索，包括运动跟踪器、跟踪器切换器，后者用来动态选择两种跟踪器跟踪结果。本发明利用可见光与红外模态之间的互补特性提高模型的跟踪精度，并且结合属性驱动模块和运动模型，大大提高了跟踪器在面对复杂场景下的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN114708530A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210268553.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种神经网络模型的预训练数据处理、装置、存储介质、识别方法，其中预训练数据处理方法包括获取公开数据集，提取公开数据集中每个视频流的关键帧图像和非关键帧图像，并为每张关键帧图像和非关键帧图像生成伪标签；提取每个视频流的第一帧图像和最后一帧图像，并将同一视频流余下的帧图像分别与第一帧图像和最后一帧图像拼接形成拼接向量；采用余下的帧图像对应的伪标签作为对应拼接向量的伪标签向量，将公开数据集中所有视频流得到的拼接向量作为预训练神经网络的训练集。
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公开(公告)号：CN106910805B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710210415.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO2衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109581062A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811581424.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种用于示波器校准仪探头的高精度阻抗测量系统，首先采用检波器得到标准电阻器两端信号的检波值，并由ADC模块采集得到对应的有效值，然后由比较器将标准电阻器两端信号进行过零比较转换为方波，然后经过两个延时模块再输入FPGA，通过调整延时令将两个信号同步输入FPGA，从而测量得到相位差时间，进而计算得到待测探头的阻抗。本发明利用延时不改变输出信号波形特征的特点实现高精度相位测量，可以有效地提高测试相位差时间的分辨率，从而提高探头阻抗测量的精度。
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公开(公告)号：CN106910805A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710210415.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/18 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO2衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN118487013A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410722779.1
申请日：2024-06-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开基于混合模腔的SIW双通道双模滤波器，由顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层和方形环共同构建一个方形混合模腔。该双通道滤波器利用混合模腔的两对正交简并模式分别构建双通道滤波器的第一、第二工作通道，充分利用混合模腔的四种模式，这四种模式相互正交，且各自的谐振频率可独立控制，实现了双通道滤波器平面尺寸的减小，同时还具有高选择性、设计简单、频比可控、隔离度高等优点。
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公开(公告)号：CN114708530B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210268553.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种神经网络模型的预训练数据处理、装置、存储介质、识别方法，其中预训练数据处理方法包括获取公开数据集，提取公开数据集中每个视频流的关键帧图像和非关键帧图像，并为每张关键帧图像和非关键帧图像生成伪标签；提取每个视频流的第一帧图像和最后一帧图像，并将同一视频流余下的帧图像分别与第一帧图像和最后一帧图像拼接形成拼接向量；采用余下的帧图像对应的伪标签作为对应拼接向量的伪标签向量，将公开数据集中所有视频流得到的拼接向量作为预训练神经网络的训练集。
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公开(公告)号：CN107068813A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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