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公开(公告)号:CN105633053A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201410612179.6
申请日:2014-11-03
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H05K1/0298 , H01L23/3192 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H05K3/46 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014
Abstract: 一种基板结构及其制法,基板结构,包括:定义有布线区的承载件、设于该布线区面上的第一绝缘层、设于该布线区上的该第一绝缘层上的一线路层、以及设于该布线区上的第二绝缘层,藉由缩小该第一与第二绝缘层的布设面积,以减少该承载件与该绝缘层间的接触面积及热膨胀系数差异,使该基板结构不易发生翘曲。
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公开(公告)号:CN105870087B
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201510025409.3
申请日:2015-01-19
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/485
Abstract: 一种基板结构,包括:定义有布线区、邻接该布线区的密封体、及邻接该密封体的切割区的基板本体、形成于该布线区的线路层、形成于该布线区与该线路层上的绝缘层、以及形成于该绝缘层与该布线区上的金属层,藉由该金属层的设计,以避免该绝缘层发生分层。
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公开(公告)号:CN105633053B
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201410612179.6
申请日:2014-11-03
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种基板结构及其制法,基板结构,包括:定义有布线区的承载件、设于该布线区面上的第一绝缘层、设于该布线区上的该第一绝缘层上的一线路层、以及设于该布线区上的第二绝缘层,藉由缩小该第一与第二绝缘层的布设面积,以减少该承载件与该绝缘层间的接触面积及热膨胀系数差异,使该基板结构不易发生翘曲。
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公开(公告)号:CN105870087A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201510025409.3
申请日:2015-01-19
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/3157 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , H01L2924/01023
Abstract: 一种基板结构,包括:定义有布线区、邻接该布线区的密封体、及邻接该密封体的切割区的基板本体、形成于该布线区的线路层、形成于该布线区与该线路层上的绝缘层、以及形成于该绝缘层与该布线区上的金属层,藉由该金属层的设计,以避免该绝缘层发生分层。
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公开(公告)号:CN105845587A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201510019414.3
申请日:2015-01-15
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/482
Abstract: 一种半导体结构及其制法,先提供具有多个电性连接垫的晶片,于该电性连接垫上形成金属层,并于部份该金属层上形成钝化层。接着于该金属层上形成导电柱。由于该金属层上有钝化层保护,该金属层可避免底切问题,而能提升导电柱的支撑度,进而提升产品信赖性。
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公开(公告)号:CN104810338A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201410046315.X
申请日:2014-02-10
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/02
Abstract: 一种基板结构及其制法,该基板结构包括:一基板本体、设于该基板本体上且具有多个开孔的绝缘保护层、以及设于各该开孔中的至少一电性接触垫与至少一环体,使各该电性接触垫对应外露于各该开孔,且各该环体对应环绕各该电性接触垫的边缘,以于后续制程将导电元件形成于各该环体中,所以于回焊该导电元件时,该环体会局限该导电元件向外扩张,因而能避免该导电元件挤压该绝缘保护层而造成该绝缘保护层碎裂的问题。
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