公开(公告)号：CN109148409A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810684173.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柴田雅博 ,  德田大辅 ,  黑川敦 ,  德矢浩章 ,  梅本康成

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。

公开(公告)号：CN104269390B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  史朝文

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

公开(公告)号：CN107895689A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710919363.9

申请日：2017-09-30

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 米仓智子

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L21/027 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/42 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够抑制保护膜的残渣的产生的半导体装置。半导体装置包含半导体基板；导电膜，覆盖半导体基板的表面，且在表面具有相互平行地配置的多个凹部；以及保护膜，以在具备相对于多个凹部形成大于0°且小于90°的角度的边的开口部使导电膜部分露出的方式覆盖导电膜的表面。

公开(公告)号：CN104425417B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310449992.1

申请日：2013-09-27

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 林长甫 ,  姚进财 ,  张宏铭 ,  庄旻锦 ,  黄富堂

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014

Abstract: 一种半导体装置及其制法与半导体结构，该半导体装置包括：具有相邻的二连接垫的基板；半导体组件，具有对应于各该连接垫的焊垫与形成于该些焊垫上的凸块底下金属层；具有依序形成于该凸块底下金属层上的第一导电部与第二导电部的导电组件，其中，该第二导电部的宽度小于该第一导电部的宽度；以及形成于该第二导电部与该连接垫之间的焊球，用于连接该导电组件与该基板。藉此，本发明能避免相邻的导电组件间产生焊料桥接的情形，并降低该导电组件与该凸块底下金属层间的应力。

公开(公告)号：CN104718611B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380038752.0

申请日：2013-06-06

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  C·G·沃伊奇克 ,  T·卡斯基 ,  K·V·德塞 ,  魏怀亮 ,  C·米彻尔 ,  B·哈巴

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。

公开(公告)号：CN103650131B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201280033910.9

申请日：2012-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩濑铁平 ,  油井隆

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49534 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：第1半导体芯片；其侧面的扩展部以及其上的连接端子；在半导体芯片及扩展部上包括与连接端子接合的布线和其上的绝缘层的再布线部；在扩展部上位于再布线部的表面的绝缘层的开口部与布线接合的电极。电极主要由弹性模量高于布线的材料构成，具有在开口部与布线接合的接合区域以及靠近扩展部的端部的外方区域。布线连续延伸到外方区域的跟前为止。据此，在形成于由树脂等弹性体构成的扩展部上的再布线层上的电极进行引线键合的情况下，也能将电极正下方以及其周围的物理损伤抑制到最小限度，能提供可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN105655313A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510849708.9

申请日：2015-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·希尔森贝克 ,  T·弗兰克 ,  J·P·康拉斯 ,  R·拉普

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/417 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7392 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3512 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。根据各个实施例，一种半导体器件可包括形成在半导体器件的表面处的层堆叠，层堆叠包括具有第一金属或金属合金的金属化层以及覆盖金属化层的保护层，保护层包括第二金属或金属合金，其中第二金属或金属合金比第一金属或金属合金的贵金属性更低。

公开(公告)号：CN105633053A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410612179.6

申请日：2014-11-03

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 张辰安 ,  孙崧桓 ,  吴建宏 ,  陈以婕 ,  廖文楷

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K1/0298 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/46 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种基板结构及其制法，基板结构，包括：定义有布线区的承载件、设于该布线区面上的第一绝缘层、设于该布线区上的该第一绝缘层上的一线路层、以及设于该布线区上的第二绝缘层，藉由缩小该第一与第二绝缘层的布设面积，以减少该承载件与该绝缘层间的接触面积及热膨胀系数差异，使该基板结构不易发生翘曲。

公开(公告)号：CN105489121A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510631546.1

申请日：2015-09-29

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 黄淳载 ,  郑一基

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H05K1/111 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2201/42 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/485 ,  H01L23/538 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/3276 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83851 ,  H05B33/06 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/115 ,  H05K3/361 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/10128 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  G09F9/00

Abstract: 焊盘结构和具有该焊盘结构的显示装置。本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括：多条信号线，其布置在基板的显示区中；焊盘结构，其位于非有源区中并且与信号线连接。所述焊盘结构包括多个金属层和两个或更多个绝缘层，所述绝缘层位于所述金属层之间并且具有使所述金属层之中的两个金属层彼此接触的一个或更多个接触孔，分别位于所述绝缘层中的所述接触孔没有彼此重叠。

公开(公告)号：CN103107152B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。