公开(公告)号：CN100553400C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200480019798.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  真弓聪 ,  伊藤巧 ,  上原刚 ,  大野毅之

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明提供一种制造等离子处理设备的方法，包括步骤：进行用于测量所述绝缘件和所述传导件之间的火花电压的实验；根据其中火花在比平均值低的水平出现的测量数据，获得所述火花电压相对于隔离距离，即形成于所述绝缘件和所述传导件之间的间隙的厚度的关系；设置所述绝缘件的介电常数和厚度，以使在所述绝缘件和所述传导件之间形成的间隙的厚度的变化可以被预想到的范围中，施加在所述绝缘件和所述传导件之间的电压变为小于基于所述测量数据的所述火花电压。

公开(公告)号：CN1826843A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480020800.4

申请日：2004-07-22

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 上原刚 ,  大野毅之 ,  势造一志 ,  竹内裕人 ,  小宫广实 ,  伊藤巧 ,  太田宜卫

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 为了解决电极的库仑力所导致的弯曲量并在用于具有较大区域的工件的等离子处理装置中获得均匀的表面处理。本发明提供的等离子处理装置的电极结构(30X)包括左右延伸的一对电极排(31X、32X)并在前后方向上彼此相对。各电极排包括侧向以并排关系安置的多个电极部件(31A－32C)。侧向安置在基本相同的位置中的两个电极排的电极部件具有相反的极性并在其间形成排间部分间隙(33p)。彼此相邻的电极部件设置成具有彼此相反的极性。

公开(公告)号：CN1823554A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480019798.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  真弓聪 ,  伊藤巧 ,  上原刚 ,  大野毅之

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 一种等离子处理设备，通过绝缘件(41)设置在朝向具有传导件(51)的电极(31、32)的工件W的侧面上。绝缘件(41)夹在电极(31、32)和传导件(51)之间。绝缘件(41)的介电常数和厚度设置为以便施加到绝缘件(41)和传导件(51)之间形成的间隙(40b)的电压变为小于火花电压。由于此设置，可以防止在间隙(40b)中出现放电，因此，可以提高处理质量。

公开(公告)号：CN101296549B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200810094984.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  真弓聪 ,  伊藤巧 ,  上原刚 ,  大野毅之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明公开了一种等离子处理设备，包括：由用于形成等离子化空间的一对电极组成的电极结构；设置成以遮蔽所述电极结构的朝向所述物体的侧面的电接地的传导件；以及介于所述电极结构和所述传导件之间并设置成以使其彼此绝缘的绝缘装置，所述绝缘装置分成包括用于形成连接到所述等离子化空间的下游的处理气体引出路径的表面的第一绝缘部分，以及分离设置在所述第一绝缘部分的所述引出路径侧的相反侧上并彼此分离的第二绝缘部分。

公开(公告)号：CN101296549A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810094984.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  真弓聪 ,  伊藤巧 ,  上原刚 ,  大野毅之

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明涉及等离子处理设备及其制作方法，其中传导元件51相对电极结构30设置在与物体W相对的边上。传导元件51电接地。绝缘装置45插在电极结构30和传导元件51之间。绝缘装置45分为第一绝缘部分41和第二绝缘部分42。第一绝缘部分41形成与电极之间的所述等离子化空间30a的下游相连的引出路径40a，第二绝缘部分42相对第一绝缘部分41被分离设置在与引出路径40a相对的边上，第一和第二绝缘部分41、42可彼此分离，如果第一绝缘部分41被损坏，只简单的对第一绝缘部分41进行更换，而没有必要更换整个绝缘装置45，只有第一绝缘部分41由等离子电阻高于第二绝缘部分42的材料构成，其结果是可大大降低材料成本。