公开(公告)号：CN103178033B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210558437.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 柳·阿伦 ,  金南柱 ,  朴憬修 ,  朴永祐 ,  徐准模 ,  武巿元秀 ,  鱼东善 ,  崔贤民

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29301 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29398 ,  H01L2224/29401 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明是由包括导电微球的各向异性导电膜连接的半导体装置。公开了一种由各向异性导电膜连接的半导体装置。所述各向异性导电膜包括含第一导电颗粒的第一导电层。所述第一导电颗粒包括含二氧化硅或二氧化硅复合物的核并具有7,000N/mm2至12,000N/mm2的20%K值。

公开(公告)号：CN103178033A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210558437.8

申请日：2012-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 柳·阿伦 ,  金南柱 ,  朴憬修 ,  朴永祐 ,  徐准模 ,  武巿元秀 ,  鱼东善 ,  崔贤民

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29301 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29398 ,  H01L2224/29401 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明是由包括导电微球的各向异性导电膜连接的半导体装置。公开了一种由各向异性导电膜连接的半导体装置。所述各向异性导电膜包括含第一导电颗粒的第一导电层。所述第一导电颗粒包括含二氧化硅或二氧化硅复合物的核并具有7,000N/mm2至12,000N/mm2的20%K值。